磁性随机存取内存(MRAM)技术结构剖析

RAM+闪存方案的最具潜力商品。一般来说，RAM用于数据储存，闪存则用于程序储存。MRAM将能取代这两种内存，实现单内存架构。MRAM还可以取代微控制器中的芯片专用ROM程序代码，以便为这些程序代码提供快速的现场可编程升级。

　　在大型系统中，微控制器与提供快速读写功能的RAM内存进行互动。DRAM主要作为应用程序的临时内存，而硬盘则用来保存应用软件和数据的非挥发性信息，但它的读写速度很慢。一旦MRAM取代了所有这些内存组件，我们就能实时引导PC和其它系统从中断的地方恢复执行。MRAM的这些功能可为这种技术创造更多商机。

　　目前市场上仍未出现真实的通用内存。所有内存在写入循环次数、读写速度、数据保留、数组密度、功耗和价格方面各具优劣势。目前市场上的所有内存都有其固有的局限性，因此不可能同时具备所有类型内存的最佳特性。然而，随着技术的进一步改进，MRAM将凭借其优势，在成为通用内存方面占据独特的优势地位。

耐久性研究

　　MR2A16A位耐久性的研究目的是确定MRAM位单元是否受到耐久性限制。这种经验式研究还用于确定重复使用内存是否会对软错误率(SER)产生负面影响。

　　读写周期测试是在Burn-in(老化试验)系统中进行的，很多单元能够同时执行。功能测试和软错误率数据的收集则在ATE上进行。

　　该组件在4MHz(250奈秒)和90℃的条件下执行。MR2A16A的最高频率为28.5MHz (35ns)。商用产品的最高外围温度规格为70℃。根据计算结果，若在4MHz频率下执行，其执行频率会增加到28.5MHz，则MR2A16A接面温度将会提高20℃。所以，尽管70℃是规定的最高温度，但研究实际上是在90℃温度下进行的。

　　循环压力、功能测试、SER数据收集都在最坏的标称电压和温度执行环境下进行。这时，我们研究的组件忍耐了58兆(5.8E13)次读写周期，而没有出现任何故障。该研究还在进行中，旨在确定能在多大程度上为MR2A16A 1T1MTJ位单元的写入周期收集经验数据。