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高通MDM9x00芯片组获2011年LTE全球峰会大奖

时间:05-30 来源:mwrf 点击:

在近日举行的2011年LTE全球峰会上,高通公司MDM9x00系列芯片组从众多入围者中脱颖而出,获得2011年LTE技术大奖最佳芯片组/处理器产品。 LTE全球峰会是LTE领域级别最高、规模最大的会议;该峰会颁发的奖项由来自全球主要运营商和业界专家组成的独立评委会评出,是LTE业界的重要荣誉。

资料显示,高通公司MDM9x00系列是业界首个3G/LTE多模单芯片解决方案,同时支持 Category 3 LTE中的FDD和TDD模式,该系列芯片可以使运营商在保留对其现有3G网络后向兼容能力的同时,无缝升级到未来的LTE服务。MDM9600支持CDMA2000 1X、EV-DO版本A/版本B、SV-DO、SV-LTE、UMTS、HSPA+以及 LTE,同时支持FDD LTE 和TDD LTE模式以及不同的载波带宽,并且能够使用OFDMA技术和MIMO天线技术,支持上、下行链路峰值数据最高分别可达50Mbps和100Mbps的传输速率。

据了解,本年度CES期间,高通公司与Verizon Wireless公司联合宣布前者的Snapdragon MSM8655处理器以及MDM9600 LTE调制解调器芯片组将使用在各种新型连接终端上,从而充分利用Verizon Wireless的4G LTE移动宽带网络,资料显示,泛泰公司和Novatel Wireless为Verizon Wireless分别推出的同时支持LTE与CDMA 1xEV-DO Rev. A的无线数据卡UML290和USB551L都采用了高通MDM9600处理器,

此次获奖再次证实高通公司作为3G技术的全球领导者,将继续引领LTE和LTE Advanced等下一代移动技术的发展。资料显示,2011年,高通公司在MWC期间推出了全球首款集成多模3G/LTE调制解调器的双核解决方案MSM8960,MSM8960向后兼容所有主要3G标准;此外,高通公司还在MWC期间推出了支持LTE FDD和LTE TDD UE第4类移动宽带标准的MDM9625和MDM9225芯片组,并使用28纳米节点技术制造。

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