利用RLDRAM II存储器提高网络设备性能

表1：现有的RLDRAM II产品列表。

在1:1读写比例下，对于4和8字的突发长度，SIO RLDRAM II可以达到100%的总线使用率，这种情况一般出现在帧和数据包缓冲应用中。极端情况下，总线使用率会降至50%。对于CIO器件，在2字突发长度和1:1读写比例时，总线使用率最低，为67%，其他情况下的使用率都更高。4字长度的使用率不低于80%，8字突发长度的使用率为89%。16字和32字数据连续操作可达到更高的总线利用率，分别是94%和97%。即使是使用CIO总线，总线周转周期也会因为最优数据时序安排而变得更小。使器件的写延时(WL)比读延时(RL+1)长一个周期就实现。

RLDRAM II适合的应用

RLDRAM II作为高性能、低延时的存储器，适用于：

1. 核心和边缘路由器

2. 企业和运营级内容交换机和路由器

3. 城域接入、城域多业务和可扩展的城域汇聚平台

4. 蜂窝基站

5. 网关

6. 网络设备

7. 无线局域网接入和汇聚点

8. SONET/SDH用户端(CPE)系统

9. 安全过滤处理器

11. 网络附属存储(NAS)平台

12. 存储区域网络(SAN)平台