RF功率MOSFET产品及其工艺开发
时间：12-10
来源：维库电子网
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结语
本文通过分析RF功率 LDMOSFET的性能和结构特征，设计出RF 功率 LDMOSFET器件结构，通过工艺和器件模拟确定了关键参数，并设计了一套符合6寸芯片生产线的制造工艺流程，对工艺中的难点提出了解决方案。
- RF功率控制电路的电压级设定(04-11)
- RF功率器件的设计及应用(06-01)
- RFMD改进RF功率管理技术(04-23)
- RF功率放大器的自适应前馈线性化技术(04-23)
- 高效率低谐波失真E类RF功率放大器设计(05-04)
- RF功率晶体管耐用性验证方案(01-29)