1.9～5.7 GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO

路对VCO振荡环节的噪声干扰。

2  流片制作及实测结果分析

采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺，且用高掺杂衬底来降低闩锁效应，对所设计的VCO电路进行工艺流片，芯片照片如图2所示，整个芯片尺寸为1.2 mm×1.4 mm，电路版图设计主要考虑降低寄生电感、电容参数及其敏感性，同时减小输出波形失真并尽量保证布局的对称性。由于振荡器结点处的寄生效应直接影响压控振荡器的性能指标，所以为减小金属层与衬底之间的寄生电容，直接采用顶层金属层作为振荡器结点的连接层。另外，通过加厚金属层厚度来增大电流，从而抑制寄生电容。为了优化芯片设计，开关电容阵列放置于输出端和两个电阻之间。