苏州纳米所高灵敏度太赫兹探测器研究获进展
时间：05-18
来源：中科院网站
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Appl. Phys. Lett. 110, 171109 (2017)）
图3：中心响应频率为900 GHz的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管太赫兹探测器的成像演示效果。（a）为对发热电阻的直接扫描成像。（b-d）分别为在发热电阻产生的非相干太赫兹波辐照下对手术刀片、门禁卡和树叶的扫描透视成像。（摘自Appl. Phys. Lett. 110, 171109 (2017)）
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