基于片状独石陶瓷电容器的电路设计方案

因此，在选择片状独石陶瓷电容器时，需要事先测定信号的直流电压成分，掌握实际静电容量的减少程度(参阅"考虑DC偏压因素的标记方法，JEITA实施标准化")。不过，"利用最尖端微细加工技术制造的半导体芯片，其电源电压已经降低到了非常低的程度。最近，在1.0V左右的电压下工作的芯片也不罕见。因此，直流电压特性的问题还不显着"(村田制作所 元器件事业本部 本部长 山内公则)。

另外，出现直流电压特性问题的也仅限于2类产品。原因是钛酸钡为强介电体的缘故。因此，使用本身为顺电体的氧化钛的1类产品不会发生直流电压特性问题。

考虑DC偏压因素的标记方法，JEITA实施标准化

片状独石陶瓷电容器的静电容量容易随着被施加的直流电压而变化。即所谓的DC偏压特性。因此，在实际用于电子电路时，得到的容量与规格说明书上的数值不一样的事情也时有发生。电子设备的设计人员如果不掌握DC偏压特性的话，最坏的情况是设计出来的电子设备甚至可能会无法正常工作。

为此，日本电子信息技术产业协会(JEITA)于2007年制定了"JEITA RCX-2326"标准规格，要求在性能指性中标识在施加直流电压的状态下测定的容量值。该标准规格规定的片状独石陶瓷电容器对象是使用钛酸钡介电体材料的2类产品。而且限定的是额定电压为2.5V的产品。也就是说，该标准规格是以微处理器、DSP及MCU等的供电线路所使用的去耦用途为对象的。

施加直流1.25V电压进行测定

比较新标准规格与原标准规格"JIS C 5101-22"，不同之处汇总如下(表A)。

表A　针对直流电压特性的现有规格与新规格的比较

在静电容量的测定上，新规格改为在施加1.25V直流电压和0.1Vrms交流电压的状态下对容量进行测定。而原来的"JIS C 5101-22"规格并不要求施加直流电压，只是要求在施加0.5～1Vrms交流电压的状态下对容量进行测定。

另外，有关静电容量的容许偏差和温度特性的测定也改为在施加1.25V直流电压的状态下进行测定。而原规格则不要求施加直流电压。

这一新规格的制定，无疑可使电子设备的设计人员更为轻松地选用对自己来说最佳的片状独石陶瓷电容器。目前，村田制作所已向市场投放了符合新规格要求的产品。