利用MEMS技术制作无线通信用RF元件

图14是试作静电驱动型MEMS可变电容器（1.5×1.8mm）的外形；图15是施加电压时的电容量变化特性，根据测试结果显示次世代MEMS可变电容器，5V的驱动电压可以获得宽广容量变化，从0V到5V反覆次连续改变施加电压，它的容量变化几乎完全相同。
　

为实现高Q值通常必需降低信号线的阻抗损失、基板的诱电损失，不过研究人员发现透过信号线路的最佳化设计、上下方可动电极的中空配置、改用玻璃材质基板等等，可以有效降低上述各种损失，即使2.4GHz也能够获得40左右的高Q值，整体而言次世代静电驱动型MEMS可变电容器的电容可变范围是传统的2倍以上。
　

结语
以上介绍次世代高频无线通信不可或缺的关键性元件，FBAR滤波器（filter）、RF-MEMS开关（switch），以及MEMS可变电容器的制作技术.