针对基站和卫星通信的高线性度RF前端解决方案
ADI公司RF和联网元件部副总裁Peter Real表示:"我也可以像其他供应商那样把所有的RF IC集成在一个芯片上,但其性能可能就不会太好。我们的策略是在保证性能的前提下尽量提高集成度。这也正是为什么ADI既可提供高集成度的单芯片收发器解决方案、高性能射频功能模块、又有覆盖整个RF信号链的分立型RF IC的原因。"
目前,ADI公司覆盖整个RF 信号链路的射频IC产品包括:直接数字频率合成器(DDS)、锁相环合成器(PLL)、TruPwr功率检波器以及对数放大器、X-AMP可变增益放大器(VGA)、功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)及其它射频放大器、混频器,以及直接变频调制器与解调器产品。Peter Real强调指出:"ADI是唯一能提供可覆盖整个RF信号链产品的公司。"
他说,ADI是全球PLL合成器和RF检波器的市场领导者,我们开发出的业界首创和具有突破性的RF产品有:Gilbert Cell混频器、TruPwr RMS功率检波器、集成式PLL/VCO、X-AMP、宽带混频器。
ADF4350是ADI最新推出的业界首款全集成的频率合成器,内置片上VCO(压控振荡器)与PLL(锁相环),可以工作在极宽的连续频率范围内,从137.5MHz到4.4GHz。ADF4350频率合成器是业界具有最低相位噪声的宽带合成器,支持小数N分频和整数N分频,可与ADI公司新款双通道有源与无源混频器配合使用,以实现高线性度的射频前端,用于手机基站、卫星通信,以及点对点微波无线电设备。
Peter Real说:"ADF4350是业内唯一的同时支持所有2G和3G系统的集成式合成器,也是唯一实现小数N分频工作模式的元件。它易于使用、灵活的输出级可驱动有源和无源混频器(差分或单端),无需缓冲放大器,这使得它可帮助客户节省成本、电路板面积和元件数量,从而使客户能开发出适用于多种应用的标准产品。"
ADF4350集成频率合成器为设计工程师提供了单芯片的低相位噪声解决方案,其它竞争方案则需要使用多达10个分立的VCO/PLL。ADI公司新款超宽带、全集成频率合成器中内置的VCO在2.1 GHz工作频率、1 MHz偏移处的相位噪声为–137 dBc/Hz,在137.5 MHz工作频率、1 MHz偏移处的相位噪声为-155 dBc/Hz,这相当于2.1 GHz频率下的综合均方根(RMS)相位误差为0.36°,137.5 MHz频率下的综合均方根相位误差为0.02°。ADF4350提供两个射频输出端口,使用户可对输出功率电平进行数字编程。
与竞争产品不同,ADF4350支持整数N分频与小数N分频工作模式,允许用户通过软件控制方法确定最佳杂散与相位噪声性能,从而实现最佳的性能,加速上市时间。
ADI公司还推出了可与ADF4350相配合的一系列高集成度混频器,如有源的ADL5802及无源的ADL5356、ADL5358与ADL5360,它们非常适合于组合起来实现各种通信应用,如WCDMA、TD-SCDMA、MC-GSM、LTE和WiMAX。这几款双通道分集混频器扩展了ADI公司的主产品与分集产品系列,与ADF4350配合使用时,可提供高集成度的双芯片分集下变频解决方案,用于手机基站、卫星通信,以及点对点微波无线电设备。
ADL5802宽带有源器件可提供高线性度和适当的增益,并采用业界最小尺寸的封装。ADL5802双通道有源混频器的IIP3(三阶输入交调截点)为27dBm,单边带噪声系数为11dB,转换功率增益为1.5 dB,采用4mm×4mm LFCSP封装。对于高线性度应用来说,ADL5802在5V电源供电情况下功耗不足1W。ADL5802集成高线性度双平衡有源混频器内核和本振(LO)缓冲放大器,可提供10 MHz ~ 6 GHz的宽动态范围频率转换。同时还具备偏置调整特性,可通过单一控制引脚实现输入线性度、单边带噪声系数,以及直流电流的最优化。
Peter Real强调指出:"ADL5802既是业内第一款双通道有源混频器,又是业内最大带宽的混频器。其可调节混频器偏置电路使得客户能获得平衡性能和功耗优化,而其高集成度设计则使得客户可以节省成本和空间,并提高性能。"
ADL5801与ADL5802相比,只有两个地方是不同的:第一,ADL5801是单通道的高IP3有源混频器;第二,ADL5801集成了一个检波器。
如果客户希望选择无源混频器,那么他们可以选择ADL5356、ADL5358和ADL5360双通道专用频带无源混频器。这些无源混频器集成了IF放大器及RF(射频)巴伦,IIP3为
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