如何选择恰当的超低静态电流LDO稳压器

图10：I_GND vs. V_IN示例。

如图10所示，在压降区，LDO开始消耗多达100 μA电流。为了在功率敏感型应用中解决这个问题，建议增加带可调节迟滞特性的极低功率监控器，用于在负载移除后恢复电池电压。在某些迟滞特性不充足的情况下，带闩锁输出的其它电压检测器可能更适合。但这将导致需要使用按钮或来自电池充电控制器的信息来清除闩锁。

安森美半导体最新世代的超低I_Q LDO整合了集成压降条件检测器，可以防止低输入电压条件下接地电流上升。集成了这种理念的器件包括NCP702和NCP4681等。

小结：

传统上，改善LDO稳压器的电流消耗表示要损及动态性能。新的工艺技术及设计技巧带来像安森美半导体提供的系列超低静态电流LDO稳压器能够更好地结合低静态电流和动态性能。本文指出了设计人员在选择LDO时应该顾及的一些因素，包括密切注意LDO数据表，理解器件的具体工作特性，进行根据应用的关键要求选择适合的方案。

表3：安森美半导体超低I_Q LDO稳压器产品系列(*表示工作模式可藉AE引脚来选择)

参考资料：

1、"A+Guide+to+Choosing+the+Right+Ultra-Low+IQ+Low+Dropout+Linear+Voltage+Regulators.pdf"，安森美半导体应用注释，，安森美半导体

2、安森美半导体网站线性稳压器专区