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提升LED TV背光系统的中压升压转换器效率

时间:04-10 来源:互联网 点击:

在图3中,我们可以看到通过增添R1和R2,即便Rsense上的电压降比Vcslim低很多,Vsense也能够达到(Vcslim/1.1)水平。这样可以降低Rsense的功耗。例如,在不使用R1和R2的情况下,如果Rsense为0.077Ω,当Ipk=10.39A,Vsense则为0.8V。如果Vgate=11V,R1=10KΩ,R2=400Ω,Rsense=0.0375Ω,当Ipk=10.39A,Vsense也可达到0.8V。但是,如果Rsense=0.0375Ω,Rsense的功耗则为0.47W,效率损失为0.47/72×100%=0.65%,相对于使用0.77ΩRsense,效率则可以提高0.68%。

在MOSFET晶片尺寸和封装相同的情况下,如果Vdss增加,MOSFET的Rdson会增大。例如,飞兆100VMOS器件FDD86102的Rdson为24mΩ。但是对于具有相同封装和价格的250VMOS器件FQD16N25C,Rdson为270mΩ。MOSFET器件的传导损耗在24mΩ和270mΩ条件下的差别很大,我们使用相同设计工具计算了24VAC输入、180V/0.4A输出PFC转换器Rdson的传导损耗。其数值分别是0.9W和10.08W。显然,270mΩRdson是不可接受的。在标准升压拓扑中,为了提供180V输出电压,需要使用250VMOSFET以获得足够的Vdss余量。在这种情况下,减小传导损耗的标准途径是选择一个Rdson较低的MOSFET器件。不过,在相同Vdss下,Rdson较低的MOSFET器件不仅昂贵,而且具有较大的Coss。较大的Coss意味着较大的关断损耗。这里,我们找到了另一种减小传导损耗的方法。就是使用100VMOSFET器件如FDD86102,将24V电压提升到180V,当然,必须采用特殊的方法解决电压问题,如自耦变压器。


图4所示为使用自耦变压器替代电感器的升压转换器,在导通期间,电流流经红色的路径就象标准升压转换器的一样,而在关断期间,电流则经过绿色路径。MOSFET漏极上的电压为:


如果我们输入N1=3T,N2=7T,Vdiode=1V,Vout=180V,Vin=24V,则Vd为:


因而可以使用100VMOSFET器件。

设计示例和测试结果


图5所示为飞兆半导体用于LED背光照明电源的评估电路板的示意图。

U4,Q35,T3,D36和外部元件构成了这个升压转换器,绕组6-10用于实现零电流检测(ZCD),D37,C42,R39,R40具有两项功能,一项功能是作为箝位线路,吸收N1和N2之间的泄漏电感引起的电压脉冲,另一项功能是监视Q35的漏极电压,反馈至U4的引脚1,实现过电压保护。


图6


图7

图6是评估电路板顶部、底部和侧面照片。我们可以看到,增添R38,效率提高了1.09%。图7是使用/不使用Vrsense电压垫高电路(R38)的波形差别示意图。表2是使用/不使用自耦变压器的结果比较。如果不使用自耦变压器,应当去掉D37,将D37的阴极连接到24VVin。我们可以看到使用自耦变压器,效率提高了14.06%,图8所示为波形比较。


表1:使用/不使用Vrsense电压垫高电路(R38)的结果比较


表2:使用/不使用自耦变压器的结果比较


图8

本文小结

标准CRMPFC控制器就其特性、通用性和低价格而言,适用于中等电压升压转换器。传导损耗是其应用的主要挑战。采用电压垫高电路能够降低Rsense所需的峰值电压以期提升转换器的效率。在升压转换器中采用自耦变压器,允许使用低VdssMOSFET器件以减小Rdson,从而显著提升效率。评估电路板的测试结果证实这一思路是可行的。

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