大功率电源中MOSFET功率计算

由于功率耗散水平不高，我们可以在这对MOSFET下面提供了0.5平方英寸的铜片，达到约55°C/W的总ΘJA。这样以35°C的升温，可以支持达80°C的环境温度。

本实例的铜散热片仅要求对MOSFET提供。如果有其它器件散热，也许要求铜散热片面积更大。如果空间不允许增加额外的铜散热片，可以减小总功率耗散，将热量扩散到散热量较低的地方，或采用其他方法散热。

热能管理是大功率便携设计中最困难的方面之一，它使上述的迭代过程成为必需。虽然这一过程使板设计者已经接近于最终设计，但还是必须通过实验室工作最终确定设计过程是否准确。在实验室中计算MOSFET的热能特性、确何其散热通道并检查计算结果，有助于确保可靠的热设计。