大功率电源中MOSFET功率计算
开关频率,可以降低开关损耗,且可能使更大、更低的RDS(ON)值的开关MOSFET成为可能;增大栅极驱动电流,降低开关损耗。MOSFET自身最终限制了栅极驱动电流的内部栅极电阻,实际上局限了这一方案;采用可以更快同时开关并具有更低RDS(ON)值和更低的栅极电阻的改进的MOSFET技术。
由于元器件选择数量范围所限,超出某一特定点对MOSFET尺寸进行精确调整也许不太可能,其底线在于MOSFET在最坏情况下的功率必须得以耗散。
热阻
再参考图1说明,确定是否正确选择了用于同步整流器和开关MOSFET的MOSFET迭代过程的下一个步骤。这一步骤计算每个MOSFET的环境空气温度,它可能导致达到假设的MOSFET结温。为此,首先要确定每个MOSFET的结与环境间的热阻(ΘJA)。
如果多个MOSFET并联使用,可以通过与计算两个或更多关联电阻的等效电阻相同的方法,计算其组合热阻。热阻也许难以估计,但测量在一简单PC板上的单一器件的ΘJA就相当容易,系统内实际电源的热性能难以预计,许多热源在竞争有限的散热通道。
让我们从MOSFET的ΘJA开始。对于单芯片SO-8MOSFET封装,ΘJA通常在62°C/W附近。对于其他封装,带有散热栅格或暴露的散热条,ΘJA可能在40°C/W和50°C/W之间(参见表)。计算多高的环境温度将引起裸片达到假设的TJ(HOT):TAMBIENT=TJ(HOT)-TJ(RISE)
如果计算的TAMBIENT比封装最大标称环境温度低(意味着封装的最大标称环境温度将导致超过假设的MOSFETTJ(HOT)),就要采取以下一种或所有措施:
提高假设的TJ(HOT)(HOT,但不要超过数据参数页给出的最大值;通过选择更合适的MOSFET,降低MOSFET功率耗散;或者,通过加大空气流动或MOSFET周围的铜散热片面积降低ΘJA。
然后重新计算。采用电子数据表以简化确定可接受的设计所要求的典型的多重叠代。
另一方面,如果计算的比封装最大标称环境温度高得多,就要采取以下一种或所有措施:
降低假设的TJ(HOT);减少用于MOSFET功率耗散的铜散热片面积;或者,采用不那么昂贵的MOSFET。
这些步骤是可选的,因为本案例中MOSFET不会由于超过设定温度而损坏。然而,在TAMBIENT比封装的最大温度高时,这些步骤可以减小板面积和成本。
该过程中最大的不准确性来源于ΘJA。仔细研读ΘJA规格参数相关的数据页说明。典型的规格说明假设器件安装于1平方英寸的2盎司铜片。铜片承担了大部分的散热,而铜片的大小对ΘJA有显著影响。
例如,采用1平方英寸的铜片,D-Pak的ΘJAD-Pak可能是50°C/W。但如果铜片就设在封装引脚下,ΘJA值将会加倍(参见表)。采用多个并联MOSFET,ΘJA主要依赖于它所安装的铜片面积。两个元器件的等效ΘJA可能是只有一个元器件时的一半,除非铜片的面积加倍。就是说,增加并联MOSFET而不同时增加铜片面积,将使RDS(ON)减半,但对ΘJA的改变小得多。
最后,ΘJA的规格参数假设铜片散热面积不需考虑其他元器件的散热。在高电流时,在功率路径上的每个元件,甚至是PC板上的铜材料都会产生热量。为避免对的MOSFET过度加热,需要仔细计估算实际物理环境能达到的ΘJA值;研究所选择的MOSFET提供的热参数信息;检查是否有空间用于增加额外的铜片、散热器和其他器件;确定增加空气流动是否可行;看看在假设的散热通道有没有其他明显的热源,并要估算一下附近元件和空间的加热或冷却作用。
设计实例
图3所示CPU内核电源在40A提供1.3V。两个同样的20A电源在300kHz运行,提供40A输出电源。MAX1718主控制器驱动一个,而MAX1897从控制器驱动另一个。该电源输入范围在8~20V之间,指定封装的最高工组作环境温度60°C。
同步整流器包括两个并联的IRF7822MOSFET,在室温条件下组合的最大RDS(ON)为3.25mΩ,而假设TJ(HOT)为115°C时约为4.7mΩ。最大负载系数94%,20A负载电流和4.7mΩ最大RDS(ON),并联MOSFET的耗散约为1.8W。提供2平方英寸的铜片以进行散热,总ΘJA约为31°C/W。组合MOSFET的温度上升约为55°C,所以此设计将在60°左右的环境温度工作。
在室温下组合的最大RDS(ON)为6mΩ,在115°C(假设的TJ(HOT))为8.7mΩ的两个并联IRF7811WMOSFET组成开关MOSFET。组合CRSS为240pF。MAX1718以及MAX1897的1Ω栅极驱动输出约为2A.。当VIN=8V时,电阻损耗为0.57W,而开关损耗约为0.05W。在20V时,电阻损耗为0.23W,而开关损耗约为0.29W。在每个操作点的总损耗大体平衡,而在最小VIN处的最坏情况下,等于0.61W。
- 自动负载均流法和电流自动均流在电源系统中的应用(05-17)
- 如何实现大功率UPS的无变压器设计?(01-22)
- 一种基于UCC28600准谐振反激式开关电源的方案(01-10)
- 改进交错式DC/DC转换器(07-18)
- 新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案(08-17)
- 如何设计一个合适的系统电源(上)(11-20)