安森美半导体实现高能效、低待机能耗及功率因数校正的电源和适配器方案

率反走、软跳周期(Soft-Skip™)模式；诸多功能可减少电磁干扰(EMI)信号，有助于符合安全标准。

表2：丰富的AC-DC控制器及稳压器产品阵容

4) DC-DC控制器和稳压器：从0.5 A至10 A范围的集成开关稳压器，有各种拓扑结构选择，包括降压、升压、降压/升压和反相；宽输入电压范围高达200V，PWM控制器能够驱动高达30 A电流。

表3： DC-DC稳压器产品阵容

表4： DC-DC控制器产品阵容

5) 线性稳压器：压降低至40 mV，输出电流范围从80mA至3 A，电源抑制比高达90 dB，超快速瞬态响应不到1 μs，2.5 μA的超低静态电流(Iq)和接地电流(Ignd)。

表5：线性稳压器器产品一览

6) 各种电源转换MOSFET：这类功率器件可以分为几类，如低导电损耗、低RDS(on)的ORing MOSFET，其IM总线ORing为30 V，48 V总线ORing为100 V；隔离式拓扑结构DC-DC(砖式) MOSFET，提供低导电损耗的低RDS(on)，集成了低损耗肖特基二极管，耐热增强型SO-8 FL适用于需要散热的应用；非隔离式拓扑结构降压DC-DCMOSFET，除具有低传导损耗的低RDS(on) 特点，还集成了提高轻载效率的肖特基二极管，耐热增强型SO-8 FL封装适用于需要散热的应用。

7) MOSFET驱动器：这些器件提供两个输出，可驱动高电压功率MOSFET和IGBT，适合多种拓扑结构（如半桥、非对称半桥、有源钳位、全桥），电压范围高达600 V，dV/dt免疫力为±50 V/ns，与行业标准引脚对引脚兼容。

8) 基于沟道的肖特基二极管：这类器件具有低Vf及高工作温度能力的特点，有助于提高能效。

9) 电压基准：精确的基准电压从0.9 V至2.5 V，严格的电压容限为0.4％至3％，输出电压范围高达36 V；此外，还具有低动态阻抗、低噪声和稳定运行的特点，丰富的封装包括表面贴装和通孔。

全方位电源优势

安森美半导体利用其丰富的电源专长、解决方案和产品，帮助设计人员快速提高系统能效。这些产品和解决方案可节省能耗，提供高性价比的电源，以满足不断变化的全球能效标准。高能效电源方案能帮助客户完成提高其产品能效的挑战，如低待机模式能耗、高工作模式能效和功率因数校正。

安森美半导体在全球拥有广泛的设计和应用资源网络，现场应用工程师以客户为中心的支持，帮助客户优化电源设计。