采用新型IGBT优化软开关应用中的损耗

用：IHW15N120R2(Vce=1,200V, Ic=15A@Tc=100℃)；

2. 对于2.0kW的应用：IHW20N120R2(Vce=1,200V, Ic=20A@Tc=100℃)；

3. 对于2.2kW的应用：IHW25N120R2(Vce=1,200V, Ic=25A@Tc=100℃)；

4. 对于2.4kW的应用：IHW30N120R2(Vce=1,200V, Ic=30A@Tc=100℃)。

为了测量IGBT的集电极电流Ice，应在发射极和地之间使用超低阻值的取样电阻器。图11为Vce和Ic的波形(搪瓷烧锅负载)。工作频率为29.1kHz，LC电路在谐振范围之外(电磁炉的温度模式为50℃)。

图11： 1.8kW电磁炉应用(IHW20N120R2)的电压谐振电路波形

本文小结

针对软开关应用进行优化的RC-IGBT技术可大幅度降低饱和压降造成的损耗。最大结温提升到175℃进一步增强了芯片的电流能力。关断开关损耗以及发射极关断电流几乎没有变化。

发布者：小宇