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一种减少VDMOS寄生电容的新结构
时间:11-04
来源:EDN
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4 结 语
本文提出一种减小VDMOS寄生电容,提高其动态特性的新结构。并用TCAD(ISE)软件对其模拟。从模拟分析结果可看出,新型结构A与传统VDMOS相比,能有效减小反馈电容及栅电荷,提高VDMOS器件的开关速度,提高器件的动态性能。
编辑:博子
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