微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 模拟电路设计 > 一种基于CMOS工艺的电荷泵锁相环芯片的设计

一种基于CMOS工艺的电荷泵锁相环芯片的设计

时间:05-21 来源:EDN 作者:武汉科技大学 冯伟平 点击:
1 引 言

锁相环路(PLL)是一种能够跟踪输入信号的闭环自动相位控制系统,其理论基础为自动控制理论。锁相环具有载波跟踪特性,可提取淹没在噪声之中的信号,制成高性能的调制器和解调器;用高稳定度的振荡器做参考频率,可提供一系列频率高稳定的频率源,可进行高精度的相位与频率测量等。在模拟与数字通信系统中,锁相环已成为不可缺少的基本部件。随着大规模集成电路技术的发展与成熟,CMOS工艺以其低成本、低功耗、高集成度的优点使得采用CMOS工艺实现高性能集成锁相环具有十分重要的意义和广阔的前景。采用电荷泵结构的锁相环以其易于集成、低功耗、低抖动、无相差锁定等优点,得到了广泛的应用。

2 电路设计

锁相环能够实现两个电信号的相位同步、频率相同或倍频。如图1所示,锁相环由4个基本部件即鉴相器、电荷泵、低通滤波器和压控振荡器组成。鉴相器作用是对两个输入信号进行比较,输出一个正比于这两个输入信号相位差的直流电压,即一个上升或下降的脉冲信号,这个直流电压又作用于下一级电路即开关电荷泵,然后,电荷泵将鉴相器的输出信号放大,给低通滤波器的电容充放电。而环路低通滤波器是用来滤除鉴相器输出误差电压中的高频分量,起到滤波平滑作用,以保证环路稳定以及改善环路跟踪性能和噪声特性。最后,压控振荡器依据传输过来的控制电压来改变输出信号的频率和相位,因此整个系统就形成了一个反馈系统,最终压控振荡器的输出信号锁定在参考信号的频率和相位上。


2.1 鉴频鉴相器

鉴频鉴相器是一个相位比较装置,用来检测输入信号相位与反馈信号相位之间的相位差,其结构如图2所示。PFD比较输入信号FINA和FINB的上升沿。当信号FINA的上升沿超前于信号FINB的上升沿时,PFD的输出信号UP被置为1,而输出信号DN为0,当FINB的上升沿到来时,UP变为‘0’,DN 是窄的脉冲;反之,当信号FINB的上升沿超前于信号FINA的上升沿,PFD的输出信号DN被置为‘1’,而输出信号UP保持‘0’,当FINA的上升沿到来时,DN变为‘0’,UP是一很窄的脉冲。信号UP或DN被置为高电平的时间长度等于信号FINA与FINB的相位差。当环路锁定时,PFD的输出信号都保持在低电平。


2.2 龟荷泵(CP)

在传统的电荷泵模型中,将PMOS和NMOS看作开关S1,S2,则鉴频鉴相器(PFD)的数字信号输出UP和DN可能为三种情况:

(1)状态-1:UP=0,DN=1。这时开关S1断开,S2闭合,电容进行放电,电压OUT值降低;

(2)状态0:UP=0,DN=0。这时开关S1和S2都断开,电压OUT保持为一个常量;

(3)状态1;UP=1,DN=0。这时开关S1闭合,S2断开,电容进行充电,电压OUT值提高。

2.3 压控振荡器(VCO)

压控振荡器是锁相环的重要组成部分,很大程度上决定着锁相环的性能。它实现电压一频率的变换作用,其振荡频率受低通滤波器输出电压控制。本文研究的压控振荡器是利用电阻和电容,采用正反馈的方式来实现一种差分环形压控振荡器。此差分环形压控振荡器由五级差分电路构成,每一级的输出V1,V2接到后一级的输入 A,B,最后一级的输出与第一级的输入相连,其中两个公共端子分别为E,C。前级偏置电路受CP输出电压的控制,产生两路控制信号E,C,连接到压控振荡器的每个差分部分的控制端。这种VCO具有良好的线性调谐特性和高的输出频率稳定度的特点。

振荡器的核心部分由图3所示差分电路构成,PM1管为下端对称部分提供偏置电流,PM2,PM3起反向作用,将NM1,NM2等效为电阻,则它与相应的MOS电容连接的NM3,NM4构成了RC延迟因子,且延迟时间直接受E,C电压的控制。


电路中的等效电阻和负载电容决定了电路的振荡频率,即,其中的RNM1,NM2受前级偏置部分的VE,VC控制。每一级电路所产生的输出振荡信号的摆幅为2IPM1PNM1,NM2。其中E,C二处的电压变化应当是反比例变化的,即E处电压增大引起饱和PM1管的电流IPM1减小时,C处电压须呈减小趋势以致线性等效电阻RNM1,NM2增大,以保证输出电压摆幅的基本恒定。


由于环路滤波器的输出电压为一个电压,要与双变量控制的VCO振荡部分连接起来,则必须要用到下面图4所示的偏置单元,将VIN单端控制电压信号转换为 E,C双端控制电压信号,实现更好的线性度和更强的电压驱动效果,减少后端振荡部分随时间的能量衰减。


由图可知,RES的电阻值和NM1的尺寸决定了NM3,NM4的栅极电压,NM4的漏极连接到PM1的漏极,此处的电压由PM1的漏电流决定,而此漏电流等于流过NM3,NM4两管的电流之和,而这两管的电流又由VIN和E处的电压来决定。由此相互制约的关系,可以列出关于E点电压VE,流过NM3的漏极电流IN3以及NM2漏级电压VX的关系方程如下:

由上述三元三次方程即可解出E处电压值。C处电压完全由VE和PM2,NM5的相对尺寸所决定。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top