3基于S3C4510B的嵌入式系统Flash存储器接口电路的调试
Flash存储器的调试主要包括Flash存储器的编程（烧写）和擦除，与一般的存储器件不同，用户只需对Flash存储器发出相应的命令序列，Flash 存储器通过内部嵌入的算法即可完成对芯片的操作，由于不同厂商的Flash存储器在操作命令上可能会有一些细微的差别，Flash存储器的编程与擦除工具一般不具有通用性，这也是为什么Flash接口电路相对较难调试的原因之一，因此，应在理解Flash存储器编程和擦除的工作原理的情况下，根据不同型号器件对应的命令集，编写相应的程序对其进行操作。
若使用SDT调试环境，调试过程与上述步骤相似。
>obey C:memmap.txt
打开AXD Debugger的命令行窗口，执行obey命令：
此时，2MB的Flash存储器映射到地址空间的0x0000,0000～0x001F,FFFF处，选择菜单Processor Views→Memory选项，出现存储器窗口，在存储器起始地址栏输入Flash存储器的映射起始地址：0x0,数据区应显示Flash存储器中的内容，若Flash存储器为空，所显示的内容应全为0xFF,否则应为已有的编程数据。双击其中的任一数据，输入新的值，对应存储单元的内容应不能被修改，此时可初步认定Flash存储器已能被访问，但是否能对其进行正确的编程与擦除操作，还需要编程验证，通过程序对Flash存储器进行编程和擦除操作。
4结束语
这样整个基于的嵌入式系统Flash存储器接口电路的调试基本上完成了，当然对于不同的系统，操作是略有不同的，我们可以根据所要开发或使用的嵌入式系统模式，进行适当的调整，保证我们正确的使用Flash存储器。
