| 接地 1.3 以HY29LV160为例的Flash接口电路的使用方法 下面，我们使用HY29LV160来构建存储系统。由于ARM微处理器的体系结构支持8位/16位/32位的存储器系统，对应的可以构建8位、16位、32位的Flash存储器系统。32位的存储器系统具有较高的性能，而16位的存储器系统则在成本及功耗方面占有优势，而8位的存储器系统现在已经很少使用。下面主要介绍16位和32位的Flash存储器系统的构建。
1.3.1.16位的FLASH存储器系统
在大多数的系统中，选用一片16位的Flash存储器芯片（常见单片容量有1 MB 、2MB 、4MB 、8MB 等）构建16位Flash的存储系统已经足够，在此采用一片HY29LV160构建16位的Flash存储器系统，其存储容量为2MB。Flash存储器在系统中通常用于存放程序代码，系统上电或复位后从此处获取指令并开始执行，因此，应将存有程序代码的Flash存储器配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即将S3C4510B的nRCS<0>（Pin75）接至HY29LV160的CE＃端。
HY29LV160的RESET＃端接系统复位信号；
OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；
WE＃端S3C4510B的nWBE<0>（Pin100）；
BYTE＃上拉，使HY29LV160工作在字模式（16位数据宽度）；
RY/BY#指示HY29LV160编程或擦除操作的工作状态，但其工作状态也可通过查询片内的相关寄存器来判断，因此可将该引脚悬空；
地址总线[A19～A0]与S3C4510B的地址总线[ADDR19～ADDR0]相连；
16位数据总线[DQ15~DQ0]与S3C4510B的低16位数据总线[XDATA15~XDATA0]相连。
注意此时应将S3C4510B的B0SIZE[1:0]置为"10"，选择ROM/SRAM/FLASH Bank0为16位工作方式。
1.3.2. 32位的FLASH存储器系统
作为一款32位的微处理器，为充分发挥S3C4510B的32性能优势，有的系统也采用两片16位数据宽度的Flash存储器芯片并联（或一片32位数据宽度的Flash存储器芯片）构建32位的Flash存储系统。其构建方式与16位的Flash存储器系统相似。
采用两片HY29LV16并联的方式构建32位的FLASH存储器系统，其中一片为高16位，另一片为低16位，将两片HY29LV16作为一个整体配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即将S3C4510B的nRCS<0>（Pin75）接至两片HY29LV16的CE＃端；
两片HY29LV160的RESET＃端接系统复位信号；
两片HY29LV160的OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；
低16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE<0>（Pin100），高16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE<2>（Pin102）；
两片HY29LV160的BYTE＃均上拉，使之均工作在字模式；
两片HY29LV160的地址总线[A19～A0]均与S3C4510B的地址总线[ADDR19～ADDR0]相连；
低16位片的数据总线与S3C4510B的低16位数据总线[XDATA15~XDATA0]相连，高16位片的数据总线与S3C4510B的高16位数据总线[XDATA31~XDATA16]相连。
注意此时应将S3C4510B的B0SIZE[1:0]置为"11"，选择ROM/SRAM/FLASH Bank0为32位工作方式。
2.S3C4510B系统管理器关于存储器映射的工作原理
当系统设计制作完成时，必须经过仔细的调试，才能保证系统按照设计意图正常工作。尽管系统的调试与个人对电路工作原理的理解和实际的电路调试经验有很大的关系，但一定的调试方法也是必不可少的。掌握正确的调试方法可使调试工作变得容易，大大缩短系统的开发时间，反之，可能会使整个系统的开发前功尽弃，以失败告终。
在系统的两类存储器中，SDRAM相对于FLASH存储器控制信号较多，似乎调试应该困难一些，但由于SDRAM的所有刷新及控制信号均由S3C4510B片内的专门部件控制，无需用户干预，在S3C4510B正常工作的前提下，只要连线无误，SDRAM就应能正常工作，反之，Flash存储器的编程、擦除操作均需要用户编程控制，且程序还应在SDRAM中运行，因此，应先调试好SDRAM存储器系统，再进行Flash存储器系统的调试。
基于S3C4510B系统的最大可寻址空间为64MB，采用统一编址的方式，将系统的SDRAM、SRAM、ROM、Flash、外部I/O以及片内的特殊功能寄存器和8K一体化SRAM均映射到该地址空间。为便于使用与管理，S3C4510B又将64MB的地址空间分为若干个组，分别由相应的特殊功能寄存器进行控制：
（1） ROM/SRAM/Flash组0～ROM/SRAM/Flash组5，用于配置ROM、SRAM或Flash，分别由特殊功能寄存器ROMCON0～ROMCON5控制；
（2）DRAM/SDRAM组0～DRAM/SDRAM组3用于配置DRAM或SDRAM，分别由特殊功能寄存器DRAMCON0～DRAMCON3控制；
（3）外部I/O组0～外部I/O组3用于配置系统的其他外扩接口器件，由特殊功能寄存器REFEXTCON控制；
（4）特殊功能寄存器组用于配置S3C4510B片内特殊功能寄存器的基地址以及片内的8K一体化SRAM，由特殊功能寄存器SYSCFG控制；
在系统中，使用了Flash存储器和SDRAM，分别配置在ROM/SRAM/FLASH组0和DRAM/SDRAM组0，暂未使用外扩接口器件。
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