运算放大器的噪声分析与设计

D类音频功率放大器中，前置运算放大器是一个比较重要的模块，它位于整个拓扑结构中的前面，完成输入信号源的加工处理，或者实现放大增益的设置，或者实现阻抗变换的目的，使其和后面功率放大级的输入灵敏度相匹配；前置放大器获得并稳定输入音频信号，并确保差动信号，设计时需要尽量减小其等效输入的闪烁噪声及热噪声，降低输出电阻，增加其PSRR、CMRR、SNR、频带宽度、转换效率等参数。

　　一般来说，双极晶体管的闪烁噪声具有较低的转角频率(闪烁噪声和热噪声的交叉点)，低于MOS晶体管的闪烁噪声，在音频等低频的设计系统中，应用双极晶体管的设计有利于降低噪声，然而在混合信号电路的设计中，衬底噪声对双极晶体管就有很大的影响，所以在混合信号电路设计中，更多的使用MOS晶体管，因此这里提到的运放就采用CMOS工艺完成了相应的设计。

　　1 音频功放中前置运算放大器的功能

　　如图1所示，D类音频功率放大器主要由以下几个模块组成：前置运算放大器、调制级、偏置、控制级、驱动级及输出功率管级(BTL)；前置运算放大器位于整个结构的最初端，本设计中，要求前置运放有正常工作模式(play)及噪声抑制工作模式(mute)两种工作模式，在正常工作模式下，运放接收信号源，正常工作，后面各级完成相应调制及信号的再生；在噪声抑制工作模式下，运放停止接收输入信号源，差分输出端各被钳制在固定的电压下，其它模块正常工作，BTL输出端为相同的输出方波，在负载上，看不到信号的再生重现，此时处于静音状态，使用静噪状态的主要作用是抑制开关机时候的爆裂(pop)噪声，其实现的电路内部结构如图2所示。

　　2 前置运算放大器的噪声特性

　　运算放大器电路中存在5种噪声源：散粒噪声(Shot Noise)、热噪声(Thermal Noise)、闪烁噪声(Flicker Noise)、爆裂噪声(Burst Noise)、雪崩噪声(Avalanche Noise)，对于CMOS工艺，散粒噪声、爆裂噪声和雪崩噪声在运算放大器电路中通常没有太大影响，即使有，也能够消除，在噪声分析中可以不予考虑。

　　2.1 噪声模型

　　电阻的噪声主要是热噪声。该噪声可以等效为一个理想的无噪声电阻串连一个电压源，或并联一个电流源作为它的噪声模型，其等效的噪声电流及电压分别为：

　　运算放大器制造商提供的噪声指标，通常是指在运算放大器输入端测试的噪声，包括热噪声及闪烁噪声。而运算放大器内部的噪声通过内部等效来描述，运算放大器内部可视为一个理想的无噪声运算放大器(Noisless OpAmp)，通过在理想无噪声运算放大器的同相输入端串联一个噪声电压源，同相、反相输人端到地分别串联一个噪声电流源，来表征内部噪声，对于单管NMOS或者PMOS，它们的等效噪声电流及噪声电压分别为：

　　上面各式及下面提到的公式中，K为Boltzmann常数，T是热力学温度，gm为晶体管的跨导。k是MOS晶体管闪烁噪声系数，W，L分别为MOS晶体管的有效栅宽度和长度，Cox是单位面积的栅氧化层电容。

　　2.2 前置运算放大器的噪声分析

　　音频功率放大器中的前置运放，其噪声模型可以如图4所示，R1、R2是输入电阻，R3、R4是反馈电阻，R3和R4为可调电阻，用于设置其整个功放的增益，e1、e2、e3、e4分别为4个电阻的热噪声电压，4个电阻对输入的噪声影响电压分别为：

　　其前置运算放大器的噪声为电阻噪声与其运放内部噪声的总和，下面就分析运放内部噪声。

　　2.3 全差分运放的内部噪声分析

　　我们知道，噪声设计的关键是输入级的低噪声设计，因此在大多数运放设计的时候，第一级的关键不是增益的设计，因为这一级的噪声大小直接决定了整个运放的噪声特性。PMOS管比NMOS管的噪声系数低，利于减小其输入噪声电压，因此输入级常采用：PMOS管差分输入结构。图5就是运放输入级的噪声分析图，输入管为PMOS。

　　差分管的源极接到同一点上，那么电流源负载的噪声就是相关噪声源，其等效到Mp1和Mp2上的噪声由于差动的作用就可以相互抵消，从而减小了电路的噪声。Mp1、Mp2为输入差分对管。另外，对于Mn3管，噪声电压对输入的影响也可以忽略。

　　3 电路设计及物理层设计

　　由以上噪声特性的分析可以看出，要改善运算放大器的噪声需要选择合适的电阻及合适的MOS管的栅宽长比，本文应用Winbond 0.5μ CMOS典型工艺，对运放噪声进行了分析，如图6和图7，其中L1<L2<L3。

由图6和图7可以看出，输入管及负载管L越大，噪声特性越好，但由于版图及稳定性的要求，不可能使用过大的L值；通过同样的仿真，对输入的宽长比，我们也可以得到类似的结论；因此，本文