微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 模拟电路设计 > 用IGBT代替MOSFET的可行性分析

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

时间:11-27 来源:电源世界 点击:

否小于125℃。

  在上述应用条件下,APT30GP60B和APT5010B2LL可使用频率均大于100 KHZ ,而Tj均低于125℃。若在fS≤120KHZ下使用,两者均能满足Tj<125℃要求,所以在上述条件下APT30GP60B可代替APT5010B2LL.

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top