IGBT电力电子装置的应用详解

应变慢，而且在饱和情况下，也可能使IGBT在延时时间内就被烧坏，起不到正确的保护作用， C3取值100pF，其延时时间在集电极检测电路用两个二极管串连，能够提高总体的反向耐压，从而能够提高驱动电压等级，但二极管的反向恢复时间要很小，且每个反向耐压等级要为1000V，一般选取BYV261E，反向恢复时间75 ns。R4和C5的作用是保留HCLP-316J出现过流信号后具有的软关断特性，其原理是C5通过内部MOSFET的放电来实现软关断。图3中输出电压VOUT经过两个快速三极管推挽输出，使驱动电流最大能达到20A，能够快速驱动1700v、200-300A的IGBT。

        3.3驱动电源设计

　　在驱动设计中，稳定的电源是IGBT能否正常工作的保证。电源采用正激变换，抗干扰能力较强，副边不加滤波电感，输入阻抗低，使在重负载情况下电源输出电压仍然比较稳定。

　　当s开通时，+12v(为比较稳定的电源，精度很高)电压便加到变压器原边和S相连的绕组，通过能量耦合使副边经过整流输出。当S关断时，通过原边二极管和其相连的绕组把磁芯的能量回馈到电源，实现变压器磁芯的复位。555定时器接成多谐振荡器，通过对C1的充放电使脚2和脚6的电位在4～8v之间变换，使脚3输出电压方波信号，并用方波信号来控制S的开通和关断。+12v经过R1，D2给C1充电，其充电时间t1≈R1C2ln2;放电时间t2=R2C1ln2，充电时输出高电平，放电时输出低电平。所以占空比=t1/(t1+t2)。

　　变压器按下述参数进行设计：原边接+12v，频率为60kHz，工作磁感应强度Bw为O.15T，副边+15v输出2A，-5v输出1 A，效率n=80%，窗口填充系数Km为O.5，磁芯填充系数Kc为1，线圈导线电流密度d为3 A/mm2。则输出功率 PT=(15+O.6)×2×2+(5+O.6)×1×2=64W。

　　由于带载后驱动电源输出电压会有所下降，所以，在实际应用中考虑提高频率和占空比来稳定输出电压。

　　4 结语

　　本文设计了一个可驱动l700v，200～300A的IGBT的驱动电路。硬件上实现了对两个IGBT(同一桥臂)的互锁，并设计了可以直接给两个IGBT供电的驱动电源。