一种求解每个热源功率损耗的新方法
时间:08-09
来源:维库
点击:
使用上面图4提供的信息,我们可以得到在Vin = 12V, Vo =1.3V, Io = 8A, Fs = 1MHz条件下的功率损耗。
P1 = 0.228W, 电感器
P2 = 0.996W, 高边 MOSFET
P3 = 0.789W, 低边 MOSFET
比较等式(18)和等式(22),我们发现,由于两个电路使用相同的电感器,两个电路具有同样的电感器损耗,这个结果和我们预想的一样。尽管分立方案中低边和高边MOSFET的rDS(on)比集成式方案MOSFET的rDS(on)分别小23%和28%,集成式降压解决方案的损耗仍然比分立式降压方案的损耗要低。
我们可以认定,集成式方案的频率更低,而频率则与功率损耗相关。
五 总结和结论
测量高频DC-DC转换器功率损耗的新方法使用了直流功率测试,和一个热成像摄像机来测量PCB板上每个热源的表面温度。用新方法测得的功率损耗与用电工学方法测得的结果十分接近。新方法可以很容易地区分出象MOSFET这样的主热源,和象PCB印制线及电容器的ESR这样的次热源的功率损耗。试验结果表明,由于在低频下工作时的损耗小,高频集成式DC-DC转换器的整体功率损耗比分立式DC-DC转换器要低。
- 意法半导体面向DC-DC转换器的应用方案(02-08)
- 简化多输出隔离DC-DC转换器设计的栅极驱动变压器(06-02)
- 美信MAX5035:1A/76V高效MAXPower降压型DC-DC转换器(02-02)
- DC-DC转换器的电磁兼容技术浅谈(05-28)
- 艾德克斯大功率电子负载在DC-DC转换器测试中的解决方案(11-05)
- 设计高效和紧凑型DC/DC转换器的技巧,PCB散热问题这样解决最高明(08-01)