TMS320VC55x系列DSP的Flash引导方法研究

编程和擦除操作都需要一定周期的时间(AT49LV1024的单字编程时间是20μ8，整片擦除时间是10 s)，用户可以通过查询标志数据线DQ6和DQ7确定编程或擦除是否完毕。当器件正处于编程或擦除状态时，连续读任意单元的值，DQ6的值将一直在0、1之间交替变化，当编程或擦除结束时，读DQ6则得到一个恒定值。本文即通过此方法判断操作是否结束。

　　根据Flash的编程和擦除命令，编写了相应的C语言程序，其中SetGPIO46Addr(Addr)子程序的作用是根据所传递的Addr值配置相应的GPIO4和GPIO6即高两位地址的值。
　　3.3.1 片擦除程序

　　3.3.2 单字编程程序

　　　3.3.3 编程和擦除结束确认程序

　　3.4 程序的烧写实现
　　本系统在CCS仿真环境下对Flash进行在线编程。先建立一个Flash的烧写工程，并在工程中将要烧写进Flash的引导表文件通过CCS的LOADDATA功能直接加载进DSP的内存，根据加载的首地址和数据长度，在仿真环境下烧进Flash中。值得注意的是，程序加载的内存空间不能与Flash的烧写程序重叠，否则烧写失败。
　　需要补充的是，经hex55.exe文件转化后的hex格式的引导表文件是不能直接导入CCS中的。CCS只支持将特别规定的DAT格式文件通过LOADDATA导入内存，所以在导入之前必须先将引导表转化成DAT格式文件，这个工作可以由VC编写一个简单的C语言转化程序实现。
　　4 结束语
　　本文阐述了一种针对TMS320VC55x系列DSP简单有效的Flash烧写方法，并提出了程序自举引导的实现方法，包括大程序二次引导的实现方法。本文讨论的引导方法包括硬件设计及相关程序，已在笔者的实际开发CMOS图像采集项目中使用并成功运行。