物联网将射频器件需求推向高潮，除了Skyworks/展讯还有哪些玩家？

riQuint（超群半导体，与RFMD合并）

射频器件大厂，产品组合主要包括开关及放大器系列产品，以及适用于各种无线与网路基础设备应用的射频滤波器等。

手机中用到的射频器件：

iPhone6 Plus：功率放大模块TQF6410

iPhone6S：功率放大模块TQF6405

iPhoneSE：功率放大模块TQF6410

4、RFMD（威讯）

2014年与TriQuint合并，RFMD的产品主要为移动装置、无线通讯提供射频集成电路放大装置 （RFICs）和信号处理传输设备等。

手机中用到的射频器件：

iPhone6 Plus：天线开关威讯RF5159

iPhone6S：天线开关威讯RF5150

iPhoneSE：天线开关威讯 RF5159

5、Avago（安华高，含博通）

收购博通后，其在射频领域的地位更强大，功率放大器芯片被应用在许多旗舰机上面。

手机中用到的射频器件：

iPhone6S：功率放大器ACPM-8030

iPhoneSE：功率放大器ACPM-8010

iPhone6：A8020、A8010

iPhone6 Plus：A8020、A8010

iPhone7 Plus：AFEM-8065、AFEM-8055

6、Murata（村田）（收购Renesas的功率放大器业务）

村田主营产品有陶瓷电容、陶瓷滤波器、高频零件、无线传感器等。前阵子，村田宣布收购意大利的无线射频（RFID）技术新创企业ID-Solutions，加速物联网布局。

手机中用到的射频器件：

iPhone6S：村田240前端模块

iPhoneSE：村田240前端模块

7、Epcos（TDK旗下从事射频模组业务的子公司）

世界上最大的电子元器件制造商之一，产品主要市场在通信领域、消费领域、汽车领域及工业电子领域。

手机中用到的射频器件：

iPhoneSE：天线开关模块EPCOS D5255

8、Peregrine

是一家高性能射频集成电路（RFIC）的无晶圆厂供应商。

9、英飞凌（Infineon）（收购了IR）

在无线通信业务领域，英飞凌的产品包括面向射频连接、无绳和移动电话以及无线网络基础设施的芯片和芯片解决方案。除芯片、芯片解决方案以及手机参考设计外，英飞凌在射频技术领域的其他主攻方向还包括短程连接、蜂窝手机和无线基础设施。 英飞凌的主要目标之一就是将各种射频功能集成于手机芯片中，例如收发器、滤波器、开关和功率放大器等，同时采用CMOS制造工艺。

国内

10、RDA（锐迪科，被紫光收购）

致力于射频及混合信号芯片和系统芯片的设计、开发、制造、销售并提供相关技术咨询和技术服务。产品主要包括GSM基带、多制式射频收发器芯片、多制式射频功放芯片、蓝牙、无线、调频收音组合芯片、机顶盒调谐器、数字及模拟电视芯片、对讲机收发器和卫星电视高频头等。

11、唯捷创芯（Vanchip）

国内最大的射频IC设计公司，由前RFMD人员成立，以主流的GaAs工艺切入射频PA市场。

12、中普微

国内射频前端厂商，主要从事射频IC设计、研发及销售。由在北美半导体行业工作多年，具有集成电路设计、系统集成及企业管理经验的团队组成，客户以TCL、天珑、西可和海派为主。

13、国民飞骧（Lansus）

2015年从国民技术分离出来。2010年开始依托国内市场开发国产射频功率放大器和射频开关。2011年，其NZ5081应用于宇龙酷派8180 TD-SCDMA手机，是第一个应用于智能手机的国产PA（RDA是第一个应用于国产功能机的PA）。

2015年，phase 1射频功放做进红米2A手机。现在的客户包括小米，酷派，中兴，魅族等等。国民飞骧已经拥有了国内同行业内最完整、最齐全的4G射频解决方案，覆盖包括MTK、高通、展讯、联芯、Marvell等各种平台。

14、中科汉天下（Huntersun）

国内领先的 2G、3G 和 4G 射频前端芯片供应商，产品主要有手机射频前端/功放芯片，物联网核心芯片等，RF-PA每月出货量超过7000万颗，其中2G PA超过4000万/月，3G PA超过1100万套/月，4G PA导入数家知名IDH方案商和品牌客户的BOM列表。

2015年芯片的总出货量近6亿颗，射频前端芯片出货量在华人公司排名第一，远超国内同行出货量之和。2016年，中科汉天下大规模量产4G三模八频和五模十七频的射频前端套片，2G CMOS射频前端芯片，3G CMOS TxM射频前端模块，以及蓝牙低功耗SOC芯片，高品质蓝牙音频SOC芯片等。

15、广州智慧微电子（SmarterMicro）

公司从事微波器件和射频模拟集成电路芯片设计、开发、销售并提供相关技术咨询和技术服务。2012年由前Skyworks技术海归创立，其特色是可重构的SOI+GaAs混合工艺。