CMOS定江山，射频工艺之争到了水落石出的时候？

国近日公布的1200亿的集成电路基金计划中，移动芯片将会占不少的分量，届时，增强射频信号并且采用新的RF技术（如纯CMOS RF前端）一定是一个很好的切入点。

综上，RFaxis公司的产品主要针对三大目标市场，WiFi/高功率WiFi，智能手机/移动，以及物联网。目前WiFi占比最大，但预计到2015年这三块市场在RFaxis总体业务中占比相当。对于如今市场上WiFi、蓝牙以及ZigBee的标准大战，钱博士表示，虽然不同无线通信标准对射频前端器件的线性度要求不同，但RFaxis公司的产品在各标准之间的迁移很容易实现，因此无论哪家胜出，对RFaxis公司而言都不是坏事。

替代GaAs指日可待？
对比当前射频器件的GaAs和CMOS工艺，RFaxis采用的CMOS工艺为0.18μm，8英寸晶圆，技术非常成熟，GaAs阵营则多采用2μm GaAs HBT工艺，6英寸晶圆，每片晶圆的成本就是前者的近1.8倍，且CMOS工艺的良率远高于GaAs HBT工艺，RFaxis正计划投产更低的工艺节点40nm的产品，届时价格会更具优势；RFaxis公司主打单芯片即single die的解决方案，和市场上现有多芯片集成的解决方案对比，良率更好；RFaxis公司的产品在ESD特性方面表现突出，耐压平均可达2.5kV，而现有GaAs器件耐压250V都做不到，因此CMOS器件可更好的适应客户生产。钱博士介绍，目前已完成的客户订单中，仅有几次因虚焊造成的问题，没有退货，足以体现其良率保证；此外，SoC设计需求已经越来越明显，而要将更多的模拟、数字和射频器件集成到一起，采用标准CMOS工艺的射频器件显然具有绝对优势。

与同类产品相比，RFaxis公司产品的优势

基于以上几点，钱博士提出，目前在一些中低功率的应用，从GaAs/SiGe工艺转到标准CMOS工艺将会是不可逆转的一种趋势。而在高功率领域的一些中低端应用中CMOS器件同样有替代GaAs器件的可能。钱博士也坦言，任何一种新技术想成为主流都要冲破重重障碍。正如本文最初提到的，既得利益者不会坐以待毙，现有GaAs阵营的大厂都先后收购了CMOS工艺的厂商，拥有了相关技术，即使CMOS工艺器件真如预期保持每年15%以上的年复合增长，成替代GaAs工艺之势，恐怕RFaxis要面对的竞争对手仍是这些射频大佬，也极有可能出现被收购的局面，当然，对一些创业者而言，被收购也未尝不是圆满的结局，这些都是后话了。至少现在，RFaxis公司在沿着自己设定的路线坚定向前。

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