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科锐推出新型 GaN RF MMIC 工艺技术

时间:06-18 来源: 点击:

物半导体场效应管开关器件(MOSFET Switch)的导通电阻孝温度系数稳、漏电流低、开关时间短,以及科锐碳化硅肖特基功率二极管(Schottky Power Diode)零反向恢复电流等特性,使得科锐碳化硅功率器件特别适用于高频、高效、高功率密度、高可靠性需求的电力电子系统。

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