2010十大新兴技术展望：塑料内存可重复读写

量采集技术在手机领域的进展情况。不过，该公司强调目前还没有任何原型产品。然而，在 2010年，所有移动设备生产商将必须寻求通过能量采集提升设备质量，至少是提高电池使用寿命。

　　7.生物电子与人脑研究

　　在2010年，研究阶段的工作可能会多于开发阶段，但是，生物技术与电子技术的结合已经足够成熟，可以进行开发利用。在此之前，科学家已将硬件植入 动物体内，比如植入皮肤下面的动物身份标签，或是供人类患者使用的心脏起搏器，当前降低医疗养护方面的成本正变得急迫起来。由于整个行业在微机电系统 (MEMS)、有机电子组件制造等技术方面的进步，组织与电子电路的整合范围得以改善。

　　芯片实验室(Lab-on-a-chip)就是这项技术取得进步的典型例证，最新例证则来自于IBM的，该公司最近推出了此类产品的原型。不仅如 此，我们还有可能在电子寻址基板上培育生物细胞。实现生物体外诊断的可能性已经确定。有关个别细胞的电行为信息及其对药物的反应，是心脏与神经方面疾病研 究领域的重要焦点，比如阿尔茨海默病(老年痴呆症)、帕金森氏综合症。简而言之，我们认为生物电子技术的大量研究和进步仍旧是推动这项技术发展的主流趋 势。

　　8.电阻式内存/忆阻器

　　研究人员对"万能内存"的追寻仍在持续。这种内存必须像DRAM那样简单，当然，最好是能像那些电容器一样简单。此外，它们还必须要能在断电情况下 仍能将数据保存数年之久，还能使用数百万次。这类内存最好使用传统方法就能轻易生产，使用的材料最好也别超出传统晶片生产商所能可承受的范围。但是，迄今 为止我们尚未发现"万能内存"。难道我们真的不能了吗?看到下面这个例子，你或许就有了答案。在导电金属氧化物技术领域默默耕耘7年之久的Unity Semiconductor Corp。公司在2009年推出了他们的研究成果。

　　事实上，《EE Times》早在2006年便对这家默默无闻的公司进行过报道。另外，4DS、Qs Semiconductor与Adesto Technologies等公司同样在今年取得了不小的进步。我们还看到许多较大规模的IDM厂商也在加大对电阻式内存(RRAM)方面的投入。值得一提 的还有忆阻器技术的发展，因为在电阻特性方面展现出存储效应的两个终端设备，是对惠普实验室倡导的忆阻器理论基础的实践应用。忆阻器常常被认为是继电阻 器、电容器和电感器之后的第四个无源电器元件。

　　9.直通硅晶穿孔

　　先进硅芯片表面最上方的互连堆叠(interconnect stack)很深，而且会随最低几何限度有显著的差异。我们一直认为这可能会导致芯片前段(front-end)制造分成不同表面和互连(紧随更高的互连 堆叠)，甚至可能在不同的芯片制造商存在。出于市场营销和技术方面的原因，这种将多裸晶(multiple die)堆叠在一个包装内的渴望还需要更复杂的互连;而直通硅晶穿孔技术(through-silicon-vi)能完全穿透硅晶片或裸晶，是制造3D包 装的关键。2009年5月，Austriamicrosystems公司开始在工厂生产TSV组件，客户群体是将CMOS集成电路与传感器组件等进行3D 整合的厂商。这样的组件在2010年估计会有更多。

　　10.花样翻新的电池技术

　　我们现在已经完全适应了摩尔定律和微电子产品小型化的趋势，于是很容易对任何性能无法每隔两年就大大增强的技术倍感失望。但是，电池技术已相对成 熟，不像集成电路一样受同一力量的驱动。事实上，如果能量存储过于密集，会变成十分危险的事情。尽管如此，我们越来越依赖于电池去储存能量，为各种各样的 电子装置供电。毋庸置疑，如果电子技术不能进一步取得突破，环保的电动车注定不会再有未来，汽车和可持续发展环保技术的结合也是一句空话。

　　我们面临的压力可想而知。近年来，以镍和锂为原料(如锂铁磷酸盐)的电池研究取得了一定进展，有望取代值得尊敬但问题多多的碱性锰干电池。从事可充 电式锌空气(zinc-air)电池开发的公司ReVolt已将俄勒冈州波特兰市作为其在美国的总部和生产基地。我们估计在2010年会有更多具备智能功 能的电池问世，为开发能量可控的集成电路提供机遇。