基于闪存的大容量存储阵列

摘要 大容量、高速度、高密度、低功耗、低成本、高可靠性和灵活性一直是星上记录设备信息存储技术的主要研究内容和追求目标。文中研究并实现了一种基于NAND型Flash的高速大容量固态存储系统，成果为实际研制应用于星的基于闪存的大容量存储器奠定了基础，具体较好的指导和借鉴意义。
关键词 记录设备；数据存储；大容量；NAND

基于NAND的高速大容量存储阵列，是作为高速大容量存储原理样机中200 MB速率存储板的部分，而高速大容量存储样机，是针对星载大容量实时存储需求而进行的前期演示研究。
高速大容量存储原理样机由高速接口、存储控制、存储阵列及通信母板组成，如图1所示。

存储控制器是系统的核心，分为存储控制一和存储控制二，两者都通过10／100 M以太网络与上位机通信，接收上位机的指令。其中控制一接收指令后产生高速数据源，通过高速数据接口传至控制二，在上位机的指令下从而完成高速数据缓冲、数据速率变换、存储阵列控制。存储控制二将收到的上位机命令进行处理后转发至存储板，存储板根据NFlash的特性进行编程存储。
文中研究重点是基于Nand Flash的200 MB速率存储板的设计与实现。电路设计和Verilog HDL程序，其编译、调试、综合、布线、配置和下载是在ISE 10．1开发平台下完成的，功能与时序仿真在Modelsim 6．2b平台下完成。
ISE是集成综合环境的简称，它作为Xilinx FPGA／CPLD的综合性集成设计平台，可以完成整个FPGA／CPLD开发过程，其集成的在线逻辑分析仪ChipScopePro更是在硬件设计验证方面起到了不可忽略的作用。

1 存储芯片的介绍
1．1 Nand闪存的选型
全球支持NAND技术闪存的生产厂商主要有Samsurrg、Toshiba、Fujistu等，其中Samsung呈现出比较突出的技术优势：容量大、存取速度快、体积小、成本低、芯片间的兼容性好，便于升级和更新。由于本系统对高速和大容量的需求，故选用K9WBG08U1M型4GNAND闪存作为存储阵列的存储芯片。
1．2 三星K9WBG08U1M型NAND闪存
NFlash内部包含了两个独立的K9KAG08UOM。其基本存储结构按页和块划分。K9KAG08UOM芯片每片共有8 192块，每块有64页，共有8 192 ×64=512页。每页中有4 000+128 Byte的存储单元，每片的容量约有4×512 kB=2 GB。因此，单片K9KAG08U1M的存储容量为4GB。
由于NAND Flash特殊的基本结构，在进行读写操作的时候，外部控制器不能通过普通总线的形式对其内部某一位进行操作，而是以页为最小操作单位，在擦除操作时以块为最小操作单位。
对NAND Flash芯片内部的某一页进行操作时，要先将操作命令字和地址信息写入，芯片才会根据操作命令字对给定地址的存储单元进行相应的操作。芯片的主要操作命令字可以查阅芯片手册。
K9KAG08UOM的页编程写入时序图如图2所示，其中写周期tWC最小为25 ns；地址到数据加载的延迟时间tADL最小为75 ns；编程命令到编程开始的延迟时间tWH最大为100 ns；编程时间tPROG的典型值为200μs。

设Flash芯片一页的容量为4 224 Byte，按典型时间计算，完成一页编程写入所需时间约为
6×25 ns+75 ns+4 224×25 ns+100 ns+300μs=405．95μs
其中，编程命令和数据传送的总时间为105．95 s，编程时间为300 s。单片K9KAG08UOM最高数据存储速率为
4 224／405．95μs=10．405 B·μs-1=10．405 MB·s-1
上述时间是按照最高速度计算的，实际使用时单片存储器的数据存储速率会小于它。如果留有足够的裕度，单片数据存储速率按照5 MB·s-1考虑，则对于200MB·s-1的要求，需要40片存储器并行工作，才能满足实时存储的要求。

2 FPGA芯片的选型
存储器阵列控制单元利用高性能FPGA实现，它对器件速度的要求不高，主要是必须提供足够的IO引脚，具体要求如下：(1)输入LVDS通道数为16+2，其中接收8个，发送8个，高速时钟2个通道。(2)输入读写速度：>200 MHz。(3)输出LVTTL电平的IO数为(80+24)x 4，其中数据80位，控制信号12位。(4)命令地址等其它低速信号线为14线。(5)输出读写速度>20 MHz。(6)引脚需求数：(16+2)×2+104×4+4+10=466。
拟采用Xilinx公司的Virtex-4系列FPGA可以满足设计要求，如XC4VLX80。其相关技术参数：(1)18 kBRAM模块：200个，3 600 kB。(2)内部存储器读写速度>500 MHz。(3)LVDS通道数为384。(4)用户可利用的IO引脚数为768。

3 FPGA控制逻辑设计
3．1 并行的NAND接口的设计
并行操作可以按照需要将多片闪存芯片的数据线结合起来共同使用，以此提高系统读写带宽和读写效率。在并行系统中，引进模块化的思想，即将多片闪存芯片当作一个模块，把这个模块作为整个系统最小的数据存储单元，任何操作都是面向这些模块来进行。也就是说，多片闪存芯片作为一个整体，对外输出8×n位的数据。同时，并行操作也大大提高了系统的操作速度。以下以写4 kByte的数据进入一个由5片闪存芯片组成的的模块为例：当只对一片闪存芯片操作时，典型的写入时间为200μs。但当闪存芯片模块进行操作时，由于是对模块内的5片芯片进行同时写入，因此系统的整体操作速度提高了4倍。
并行操作的实现依赖于并行的NAND接口的设计。板卡中采用的K9WBG08U1M的IO位宽为8 bit。由上节的分析可知，对于200 MB·s-1的要求，需要40片存储器并行工作，才能满足实时存储的要求。板上共载有40片NAND，分为4组，每组10片存储芯片，则单板容量为40×单片存储容量4 GB。为满足信号驱动特性的要求，每5片Flash存储芯片由FPGA单独驱动。
由Verilog HDL语言编写模块后编译下载，用ChipSeope Pro采集到与NAND芯片的接口控制信号如图3所示。