但是，他们的市场份额却没有给这些公司多大的回报。您认为，问题出现在什么地方？
黄维旭：集成度和可靠性，高性能和低价格，这两对矛盾需要企业进行极为谨慎的选择和平衡。任何只顾一端的做法都毫无益处。以派更公司的射频芯片为例，我们是世界上第一家能把射频器件和数字器件集成在一个裸片上的公司。比如，在手机射频前端设计方面，我们用单模块解决方案取代了传统的CMOS 控制器+GaAs 开关芯片的多芯片模块方式，以实现了WCDMA＋GSM的双模功能。
为什么要追求这种高集成度呢？这是因为诺基亚这些高端手机厂商不断要求减少手机的组件和芯片的数量。派更可以把传统的射频开关，CMOS控制器，印刷电路板层的ESD电路，高达十个decap集合在单一裸片上。这对于射频芯片的发展来说可谓一大革命性进步。我们因此赢得了2005年RF Design杂志的年度创新奖，更让我们在全球第三代ASM和 PAM市场上拥有了超过50%的份额。你要知道，全球每年的手机出货量在9亿台，其中一半出自中国市场。所以，派更公司将毫无疑问地继续在手机射频天线领域，继续扩展自己的份额，并赢得更多大厂商的design win订单。
*黄维旭简介:
派更半导体亚太区总经理。拥有清华大学电子工程专业本科学位，德州大学奥斯汀分校的电机工程硕士学位，以及哥伦比亚大学工程学博士学位。2004年至今担任派更半导体公司亚太区总经理；2000-2003年参与创立 eAnywhere Tech；1992-1997年担任 摩托罗拉公司亚洲区GSM业务高管；1987-1991 在Synergy Microwave公司从事射频/微波设计。
*Ultra CMOS详细介绍：
SOI （绝缘体硅）的一个特殊子集是蓝宝石上硅工艺，在该行业中通常称为Ultra CMOS。蓝宝石本质上是一种理想的绝缘体，衬底下的寄生电容的插入损耗高、隔离度低。Ultra CMOS 能制作很大的射频场效应管（RF FET），对厚度为150~225μm 的正常衬底，几乎不存在寄生电容。
这种晶体管采用介质隔离来提高抗闩锁能力和隔离度。为了达到完全的耗尽工作，硅层极薄至1000A。硅层如此之薄，以致消除了器件的体端，使它成为真正的三端器件。目前，Ultra CMOS 是在标准6 寸工艺设备上生产的，8 寸生产线亦已试制成功。示范成品率可与其它CMOS 工艺相媲美。
尽管单个开关器件的BVDSS 相对低些，但将多个FET 串联堆叠仍能承受高电压。为了确保电压在器件堆上的合理分压，FET 至衬底间的寄生电容与FET 的源与漏间寄生电容相比应忽略不计。当器件外围达到毫米级，从而使总电阻较低时，要保证电压的合理分压，真正的绝缘衬底是必不可少的。
Peregrine 公司拥有此领域的主要专利，该公司推出PE4272 和PE4273 宽带开关例证了UltraCMOS 的用处。这两个75Ω 器件设计用于数字电视、PC TV、卫星直播电视机顶盒和其它一些基础设施开关。
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