Qorvo在升级DOCSIS3.1中结合GaN on SiC及先进的封装技术
移动设备、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo,Inc.近日宣布推出一系列创新产品,旨在加速高速有线电视(CATV)DOCSIS 3.1网络的部署,同时为设计人员提供更大的设计灵活性。CATV产品设计人员借助Qorvo最新的多芯片模块封装、热感应引脚和先进的碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)集成功能,可降低成本,提高带宽,同时缩减电路板空间。
与传统的SOT115J封装相比,Qorvo的多芯片模块(MCM)封装可帮助客户减少50%的电路板空间,节省成本达30%。Qorvo的MCM封装内置温度感应引脚,可确保正确组装,并提供最佳热管理。为便于使用最新的先进MCM功能,Qorvo 还为客户提供PCB布局和热设计支持服务。
多系统运营商(MSO)利用Qorvo碳化硅基氮化镓技术的市场领先输出和增益性能,可以在现有产品尺寸范围内升级设备,既节省安装时间和成本,同时还可提高性能。此外,Qorvo的碳化硅基氮化镓技术通过可调电流控制等相关功能,可将总功耗减少20%。
Qorvo的CATV和宽带访问产品总监Kellie Chong表示:"Qorvo充分利用我们众多的先进封装和工艺技术,帮助领先的CATV客户降低成本,提高带宽,并且显著节省电路板空间。Qorvo已交付超过200万件CATV氮化镓放大器,是电缆市场行业领先的GaN供应商。我们乐于为客户提供最新的创新产品,帮助客户加速部署DOCSIS 3.1网络。"
相对于传统的SOT115J封装,Qorvo的多芯片模块(MCM)帮助用户减少50%的电路板空间
Qorvo最新的DOCSIS 3.1产品包括基于氮化镓功率倍增放大器RFCM3316和RFCM3326,均采用9mm x 8mm MCM小尺寸封装。
- 氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究项目通过验收(07-16)
- 美国实验室研发出GaN CMOS场效应晶体管(03-02)
- “面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用”项目启动会在京召开(10-18)
- 半导体所研制出GaN基紫外激光器(12-26)
- EPSRC授予布里斯托尔大学430万英镑,研发带有新型微流体的金刚石基氮化镓器件(02-14)
- 苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得进展(03-15)