RFMD量产PA和IC 扩展其ET产品系列

据外媒electronicsweekly报道，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMD(RF Micro Devices, Inc.)宣布开始量产功率放大器(PA)和电源管理集成电路(IC),扩展包膜跟踪(ET)产品系列。

RFMD的超高效率功率放大器重新建立了智能手机和以数据为中心的其他高性能连接设备的性能标准。这些功率放大器在LTE模式下可提供 42%-44% 的超高峰值效率，远远优于当前竞争产品。RFMD的LTE功率放大器在最高功率条件下也可具有无与伦比的线性性能，可实现高达 20MHz 的频宽和更高的数据传输速率。

RFMD公司表示，此款功率放大器(PA)覆盖FD-LTE、TD-LTE频带1-14/17-21/25-28/38/40/41/44。这有助于加快LTE在移动设备上的全球性覆盖，同时在数据吞吐性能、电池寿命和热性能方面可显著增强移动宽带消费者的体验。

在3G和4G LTE中，RFMD的超高效率功率放大器利用了公司在RF系统方面的专业技术和RF功率管理方面的领导地位，在所有功率等级和所有模式和频段下均具有最佳电流消耗性能。

RFMD蜂窝产品组 (CPG) 总裁 Eric Creviston 说："包膜跟踪(ET)产品系列的扩展将助推我们在包膜跟踪(ET)革命中占据领导地位。"

此前，德州仪器发布首款包膜跟踪电源芯片,宣称可用于减少智能手机和平板电脑3G和4G LTE多模、多波段射频功率放大器(PA)的电力消耗。