RFMD推出RFHA104x系列高功率氮化镓HEMT功率放大器

RFMD" target="_blank">RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化镓 (GaN) 宽频功率晶体管 (BPT) 经过优化，适用于军事通信、商用无线基础设施和普通应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进的 65V 高功率密度氮化镓 (GaN) 半导体工艺，这些高性能放大器可在单个放大器设计和宽频率范围内提供高效率和平坦增益、从而实现了高功率。每个放大器都采用了气腔陶瓷方式封装的输入匹配氮化镓 (GaN ) 晶体管，可提供卓越的热稳定性。它通过整合封装外部的简单、优化的匹配网络，简化了集成流程，且可在单个放大器内为线性校正电路提供宽频增益和高效性能。

产品特色

峰值功率： 125W (RFHA1042), 150W (RFHA1043" target="_blank">RFHA1043) 单电路频率： 225MHz 至 450MHz (RFHA1042)，1.2GHz 至 1.85GHz (RFHA1043) 48V 调制性能：
o 输出功率： 45.2dBm
o 增益： 18.5dB (RFHA1042), 15.5dB (RFHA1043)
o 漏极效率： 42% (RFHA1042), 30% (RFHA1043)
o ACP： -26dBc (RFHA1042), -30dBc (RFHA1043) 48V CW 宽频性能
o 输出功率： 51.4dBm (RFHA1042), 52dBm (RFHA1043)
o 增益： 16dB (RFHA1042), 13.5dB (RFHA1043)
o 漏极效率： 60% (RFHA1042), 51% (RFHA1043) 针对视频带宽进行了优化且尽可能减小了对存储的影响 可提供大信号模型

这些产品目前已开始批量生产。

相关阅读：
RFMD推出第二代超高效率功率放大器
RFMD针对LTE/WiMAX应用新推出的RFFM7600 FEM
中国智能手机爆发式增长 射频半导体厂商迎来新机遇
RFMD推出高效智能手机3G/4G功率放大器

立即加入射频微波技术社区