RFG1Mxxxxx 高功率氮化镓宽频功率晶体管

RFMD 的高功率氮化镓宽频功率晶体管 (BPT) 经过优化，适用于700MHz 至 2.2GHz 频段的商用基础设施、军事通信和通用放大器应用。它们非常适合恒定包络、脉冲、WCDMA 和 LTE 应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进 48V 高功率密度氮化镓 (GaN) 半导体工艺，这些高性能放大器可在以单个放大器设计时且在广泛的频率范围内实现高效率和平坦增益。RFG1M 系列是采用气腔陶瓷封装方式封装的输入匹配氮化镓晶体管，可提供卓越的热稳定性。它通过整合封装外部的简单、优化的匹配网络，简化了集成流程，并实现了以单个放大器提供宽带增益、效率和潜在高线性性能。

特点

先进的氮化镓 HEMT 技术 高峰值调制功率： RFG1M09090 >120W、RFG1M09180 >240W、RFG1M20090 >90W、 RFG1M20180 >180W 先进的散热技术 工作温度为 -25°C 至 85°C 针对视频带宽进行了优化且具有最低的记忆效应 针对 3GPP 性能进行了射频测试 使用 IS95 对峰值功率进行了射频测试 可提供大型信号模型

应用

商用无线基础设施 高效 Doherty 高效包络跟踪 军事通信

这些产品目前已开始销售。 若一次购买 5 件，则每件售价 316.80 美元起。

更多关于 RFG1M09090 的信息，请访问 https://estore.rfmd.com/RFMD_Onlinestore/Products/RFMD+Parts/PID-P_RFG1M09090.aspx。

更多关于 RFG1M09180 的信息，请访问 https://estore.rfmd.com/RFMD_Onlinestore/Products/RFMD+Parts/PID-P_RFG1M09180.aspx。

更多关于 RFG1M20090 的信息，请访问 https://estore.rfmd.com/RFMD_Onlinestore/Products/RFMD+Parts/PID-P_RFG1M20090.aspx。

更多关于 RFG1M20180 的信息，请访问 https://estore.rfmd.com/RFMD_Onlinestore/Products/RFMD+Parts/PID-P_RFG1M20180.aspx。