RF MICRO DEVICES? 扩展其无与伦比的氮化镓系列功率晶体管

北卡罗来纳州、Greensboro，2010 年 11 月 9 日 -- 日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布，RFMD® 已通过并生产 RF3932，这种无与伦比的 75 瓦特高效率氮化镓 (GaN) 射频功率晶体管 (UPT) 比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。

RF3932 是继最近 140 瓦特 RF3934 推出之后的续推产品，RF3934是 RFMD 的 UPT 系列中输出功率最高的器件。 RFMD 计划在 2010 年第一季度推出第三个氮化镓 UPT 器件，以扩大其氮化镓功率晶体管系列，为 RFMD 客户提供更多的选择。

RFMD 无与伦比的氮化镓功率晶体管支持"绿色"架构，可降低能源消耗，提高网络运营商的热能管理和网络效率。 RF3932 的工作频率极为广泛（直流到 3GHz），可提供超过 65% 的高峰值效率。 而且，RF3932 整合了原本封装在外部的简单、经优化的匹配网络，在单个放大器中提供宽带增益和功率性能优势。 RF3932 采用两端含铅的密闭陶瓷法兰封装，利用 RFMD 先进的散热和功耗技术提供卓越的热稳定性和传导性。 根据整体的功率要求，75 瓦特的 RF3932 和 140 瓦特的 RF3934是驱动器及/或输出阶段的最佳选择。

RFMD 多市场产品部 (MPG) 总裁 Bob Van Buskirk 说："RFMD 非常高兴能够扩展我们基于氮化镓的产品系列，为各种终端市场提供行业领先的功率性能。 RFMD 的氮化镓产品系列明确地反映出我们追求技术和产品领导地位的承诺，我们希望引进更多具有出色的功率密度、高效率、高可靠性和"绿色"能耗优势的氮化镓产品。"

RFMD 的 48 伏高功率密度氮化镓半导体工艺具有高射频功率密度和效率、低电容和高热能传导性。这些特点使精密高效的高功率放大器 (HPAs) 得到发展及广泛应用，这些应用包括私人移动无线通信 (PMR)、3G/4G 无线基础设施、ISM（工业、科学和医疗）、军事和民用雷达以及 CATV 传输网络。

RFMD 将在 11 月 9 日至 11 月 12 日于德国慕尼黑举行的 Electronica 2010 展会上展出多款业界领先的射频组件产品。您可前往 RFMD 展位 (#A4.136) 索取产品手册，也可登录 RFMD 网站 www.rfmd.com 或拨打 RFMD 电话 336-664-1233 索取数据手册。

供货情况

目前，RF3932 可提供样品，并已实现量产。

关于 RFMD

RF Micro Devices（NASDAQ GS 代码：RFMD）堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性，提供更高的连接能力，以及支持蜂窝手机、无线基础设施、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络/宽带、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可，并且是受全球领先移动设备、客户端设备及通讯设备制造商所青睐的供应商。

RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。