STM32的FLASH简单应用

主存储块：小容量产品 4K×64位
　　　　　　　中容量产品 16K×64位
　　　　　　　大容量产品 64K×64位

信息块：　258×64位

闪存模块组织织：

中容量（每页1K）和大容量（每页2K）的参照数据手册。

闪存存储器被组织成32位宽的存储器单元，可以存放代码和数据常数。每一个闪存模块都有一个特定的启始地址。

此次测试目的在于利用闪存存储器存放数据，并不是实现程序烧录功能，所以，只关注存储器的读写，保护功能留待日后再研究。

下面的例子是从0x08008204的地址中读取数据dat，把数据通过串口发送到终端查看，然后修改该地址的数据，再送到终端查看，对照前后两次的数据是否与预期值相符。先看例子：
uint32_t addr = 0x08008204;　　　//　地址
uint32_t dat;

FLASH_Unlock();　　　　　　　　//　解除闪存锁
dat = *(uint32_t *)addr;　　　　　//　读指定地址的数据
send_data(dat);　　　　　　　　//　把数据送到串口

dat+=0x10;
FLASH_ErasePage(0x08008000); //　擦除页，输入页起始地址

FLASH_ProgramWord(addr,dat);　//　对指定地址写数据
dat = *(uint32_t *)addr;
FLASH_EnableWriteProtection(FLASH_WRProt_Pages32to35);　　　//　对页32写保护，有这一句下次就写不入了
FLASH_Lock();　　　　　　　　　//　锁住闪存
send_data(dat);　　　　　　　　　//　前后数据对照

分析：

本例子基于64K的中容量产品，每页是1K字节，0x08008204属于第32页。关于FLASH_ErasePage函数的输入值，只要是第32页内的地址都可以。

要注意的是，闪存在写数据前必须先进行擦除，而且只能页擦除，不能单字节擦除。至于为什么，查看闪存的内部结构，这里不多说。