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stm32 Flash读写

时间:11-23 来源:互联网 点击:
通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作。

stm32 的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义。如其支持ICP特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写;支持IAP特性使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作。对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案。并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地。

stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据,信息块用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)和512B的用户配置信息区。

主存储块是以页为单位划分的,一页大小为1KB。范围为从地址0x08000000开始的128KB内。

对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则;

stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位,允许跨页写,写入非16位数据时将导致stm32内部总线错误。

进行内置flash读写时,必须要打开内部Rc振荡器。

main.c:

001#include "stm32f10x.h"

002#include "stdio.h"

003

004#define PRINTF_ON 1

005

006void RCC_Configuration(void);

007void GPIO_Configuration(void);

008void USART_Configuration(void);

009

010u32 count=0;

011

012u16 data[5]={0x0001,0x0002,0x0003,0x0004,0x0005};

013

014int main(void)

015{

016RCC_Configuration();

017GPIO_Configuration();

018USART_Configuration();

019

020RCC_HSICmd(ENABLE);

021

022FLASH_Unlock();

023

024FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);

025

026FLASH_ErasePage(0x8002000);

027

028while(count < 5)

029{

030FLASH_ProgramHalfWord((0x8002000 +count*2),data[count]); //flash 为一个字节存储,16位数据必须地址加2

031

032count++;

033

034}

035

036FLASH_Lock();

037

038count = 0;

039

040printf("The Five Data Is : ");

041

042while(count < 5)

043{

044

045printf("%d ",*(u8 *)(0x8002000 + count*2)); //读取方法

046

047count++;

048

049

050}

051

052while(1);

053

054}

055

056void GPIO_Configuration(void)

057{

058GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;

059

060GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;

061

062GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9;

063GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;

064GPIO_Init(GPIOA , &GPIO_InitStructure);

065

066GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_10;

067GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN_FLOATING;

068GPIO_Init(GPIOA , &GPIO_InitStructure);

069}

070

071void RCC_Configuration(void)

072{

073

074ErrorStatus HSEStartUpStatus;

075

076

077RCC_DeInit();

078

079RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);

080

081HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();

082

083if(HSEStartUpStatus == SUCCESS)

084{

085

086RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);

087

088RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1);

089

090RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);

091

092FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);

093

094FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);

095

096RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9);

097

098RCC_PLLCmd(ENABLE);

099

100while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET);

101

102RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);

103

104while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08);

105}

106

107RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA|RCC_APB2Periph_USART1, ENABLE);

108

109//RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_DMA1, ENABLE);

110

111//RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);

112//RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR|RCC_APB1Periph_BKP|RCC_APB1Periph_WWDG, ENABLE);

113

114}

115

116

117void USART_Configuration(void)

118{

119USART_InitTypeDef USART_InitStructure;

120USART_ClockInitTypeDef USART_ClockInitStructure;

121

122USART_ClockInitStructure.USART_Clock = USART_Clock_Disable;

123USART_ClockInitStructure.USART_CPOL = USART_CPOL_Low;

124USART_ClockInitStructure.USART_CPHA = USART_CPHA_2Edge;

125USART_ClockInitStructure.USART_LastBit = USART_LastBit_Disable;

126USART_ClockInit(USART1 , &USART_ClockInitStructure);

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