stm32 Flash 模拟EEPROM
*STM32的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。
* 对于大容量产品 每页2K字节
* 小容量和中容量产品则每页只有1K字节
*
*/
/*
*
*闪存的读取
*内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址,
*任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。
*这里要特别留意一个闪存等待时间,因为CPU运行速度比FLASH快得多,
*STM32F103的FLASH最快访问速度≤24Mhz,如果CPU频率超过这个速度,
*那么必须加入等待时间,比如我们一般使用72Mhz的主频,那么FLASH等待周期就必须设置为2,
*该设置通过FLASH_ACR寄存器设置。
*例如,我们要从地址addr,读取一个半字(半字为16为,字为32位),可以通过如下的语句读取:
*data=*(vu16*)addr;
*将addr强制转换为vu16指针,然后取该指针所指向的地址的值,
*即得到了addr地址的值。类似的,将上面的vu16该位vu8,即可读取指定地址的一个字节。
*/
/*
*
*闪存的编程和擦除
*STM32的闪存编程是由FPEC(闪存编程和擦除控制器)模块处理的,
*这个模块包含7个32位寄存器,他们分别是:
*FPEC键寄存器(FLASH_KEYR)
*选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
*闪存控制寄存器(FLASH_CR)
*闪存状态寄存器(FLASH_SR)
*闪存地址寄存器(FLASH_AR)
*选择字节寄存器(FLASH_OBR)
*写保护寄存器(FLASH_WRPR)
*STM32复位后,FPEC模块是被保护的,不能写入FLASH_CR寄存器;
*通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块(即写入KEY1和KEY2),
*只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器
*STM32闪存的编程每次必须写入16位(不能单纯的写入8位数据哦!),
*当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时,在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程
*写入任何非半字的数据,FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为’1’),
*任何读写闪存的操作都会使CPU暂停,直到此次闪存编程结束
*同样,STM32的FLASH在编程的时候,也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(也就是其值必须是0XFFFF),
*否则无法写入,在FLASH_SR寄存器的PGERR位将得到一个警告
*检查FLASH_CR的LOCK是否解锁,如果没有则先解锁
*检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作
*设置FLASH_CR寄存器的PG位为’1’
*在指定的地址写入要编程的半字
*等待BSY位变为’0’
*读出写入的地址并验证数据
*前面提到,我们在STM32的FLASH编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了,
*所以,我们有必要再绍一下STM32的闪存擦除,STM32的闪存擦除分为两种:页擦除和整片擦除。页擦除过程如图39.1.3所示
*STM32的页擦除顺序为:
*检查FLASH_CR的LOCK是否解锁,如果没有则先解锁
*检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作
*设置FLASH_CR寄存器的PER位为’1’
*用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页
*设置FLASH_CR寄存器的STRT位为’1’
*等待BSY位变为’0’
*读出被擦除的页并做验证
*/
void FLASH_Unlock(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
#ifdef STM32F10X_XL
/* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY2;
#endif /* STM32F10X_XL */
}
void FlashEEpromInitial(void)
{
FLASH_Unlock(); //解锁
FLASH_ErasePage(0x807F000);// 倒数第二页
FLASH_ProgramHalfWord(0x807F000,0x000C);
FLASH_Lock();
}
关于页擦除的地址问题:stm32 闪存编程手册里面是这样说的,
只要是这个页范围的内的地址,就会自动擦除这个页,不一定要是起始地址或者结束地址
For Page Erase operations, this
should be updated by software to indicate the chosen page
void FlashReadInitial(void)
{
uint16_t readData=0;
//FLASH_Unlock(); //解锁
while(USART_GetFlagStatus(USART1,USART_FLAG_TC)== RESET); // 发送收到的数据
USART_SendData(USART1,0x0A);
readData=*(uint16_t*)0x807F000;
while(USART_GetFlagStatus(USART1,USART_FLAG_TC)== RESET); // 发送收到的数据
USART_SendData(USART1,readData);
}
正点原子的一篇文章:
第三十九章 FLASH模拟EEPROM实验
STM32本身没有自带EEPROM,但是STM32具有IAP(在应用编程)功能,所以我们可以把它的FLASH当成EEPROM来使用。本章,我们将利用STM32内部的FLASH来实现第二十八章类似的效果,不过这次我们是将数据直接存放在STM32内部,而不是存放在W25Q64。本章分为
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