这个主要是基于PLL的特点。简单的描述就是，上电复位后，几个ms后晶振起振。当OSC时钟信号稳定之后，nRESET电平拉高（这是硬件自动检测过程）。这个时候，PLL开始按照默认的PLL配置开始工作，但是特殊性就在于PLL在上电复位后开始是不稳定的，所以s3c2410设计为把Fin在上电复位后直接作为Fclk，这是MPLL是不起作用的。如果要想是MPLL起作用，那么方法就是写入MPLLCON寄存器值，然后等待LOCKTIME时间后，新的Fclk开始工作。下面把这些步骤分来来描述，软件步骤部分结合程序进行。
1、上电几个ms后，晶振输出稳定。Fclk=晶振频率。nRESET恢复高电平后，cpu开始执行指令，这完全是硬件动作，不需要软件设置。
2、第一步软件工作： 设置P M S divider control，也就是设置MPLLCON寄存器。
关于PMS，可以看Figure 7-2.寄存器MPLLCON的设置呢，其实有一定的规则，并非你想要的每个Fclk频率都可以得到。官方推荐了一个表PLL VALUE SELECTION TABLE，要按照这个进行。否则的话，就需要自己按照公式推算，但是mizi公司并不保证你的设置是合适的。所以，如果想要工作在200MHz，还是按照vivi的推荐值即可。
@ step1:set P M S divider control
movr1,#CLK_CTL_BASE
ldr r2,=vMPLLCON_200
strr2,[r1,#oMPLLCON] |
其中，Mdiv=0x5c，Pdiv=0x04，Sdiv=0x00.公式Mpll（Fclk）=（m×Fin）/（p×(2^s)）
3、第二步软件工作： 设置CLKdivN。
这一步是设置分频系数，即Fclk为cpu主频，Hclk由Fclk分频得到，Pclk由Hclk分频得到。假设Hclk是Fclk的二分频，Pclk是Hclk的二分频，那么分频系数比就是Fclk：Hclk：Pclk=1：2：4.那么Hclk为100MHz，总线时钟周期为10ns。Pclk为50MHz。
@ step2:change clock divider
movr1,#CLK_CTL_BASE
movr2,#vCLKdivN
strr2,[r1,#oCLKdivN] |
4、第三步软件工作： CLKdivN的补充设置
IfHdivN=1,the CPU bus mode has to be changed from the fast bus mode to the asynchronous bus modeusingfollowing instructions.
MMU_SetAsyncBusMode
mrc p15,0,r0,c1,c0,0
orr r0,r0,#R1_nF:OR:R1_iA
mcr p15,0,r0,c1,c0,0
IfHdivN=1andthe CPU bus mode is the fast bus mode,the CPU will operate by the HCLK.Thisfeature can be used to change the CPU frequency as a half without affecting the HCLKandPCLK. |
看了上段话，只需要翻译出来就可以了。
@ FCLK:HCLK=1:2
.macroMMU_SetAsyncBusMode
mrc p15,0,r0,c1,c0,0
orr r0,r0,#(R1_iA|R1_nF)
mcr p15,0,r0,c1,c0,0
.endm
@ step3:set asynchronous bus mode
MMU_SetAsyncBusMode |
5、第四步软件工作：等待locktime时间，让新的Fclk生效
@ step4:stay locktime
movr1,#CLK_CTL_BASE
ldr r2,=vLOCKTIME
strr2,[r1,#oLOCKTIME] |
6、对外设的影响
在这个实验中，主要是有两个需要改变，一个外设是UART，一个外设是SDRAM。
（1）UART，它是接在APB总线上，所以对应的时钟信号为Pclk，现在为50MHz。如果想要设置波特率为115200bps，那么根据公式UBRdiv0=(int)(PCLK/(bps*16))-1计算，应该为26。如果放到程序中，那么应该注意形式。具体如下：
UBRdiv0=((int)(PCLK/16./UART_BAUD_RATE)-1); |
（2）SDRAM，主要的影响因素为刷新频率。前面在SDRAM中没有具体分析，现在可以详细说明。使用了两片HY57V561620CT-H，查看手册其刷新频率为8192 refresh cycles/64ms，所以刷新周期64ms/8192＝7.8125us。看寄存器REFRESH的各个位的设置情况：
·REFEN[23]：开启自动模式，设为1
·TREFMD[22]：设为Auto refresh模式，设为0
·Trp[21:20]：看看RAS precharge Time，查看SDRAM手册，发现-H系列此参数至少为20ns，现在Hclk对应的时钟周期为10ns，所以至少应该为2个clock。可以设为00
·Tsrc： Semi Row Cycle Time，也就是RAS Cycle Time，至少65ms，所以至少得6.5clock，按照可选值，应该设置为11
·Refresh[10:0]：
公式refresh period = (2^11 - refresh_count +1)/Hclk，由此推导出refresh_count=2^11+1-refresh period*Hclk。带入数值，计算得出1268＝0x04f4，这个数值要用四舍五入，减少误差。
·其余的保留值，均设置为0
由此得出该寄存器的值应该为0x008c04f4。
