Hittite最新五款MMIC功放用于6~13GHz的无线设备
Hittite Microwave Corporation近日新推出五款功率分别为1W和2W的GaAs|0">GaAs PHEMT MMIC|0">MMIC功率放大器,适用于频率范围为6~13GHz的点对点、点对多点和无线、测试设备、军事及航空解决方案。
HMC590和HMC590LP5(E)这两款功率为1W的高动态范围GaAs PHEMT MMIC功率放大器的工作频率范围为6~9.5GHz,优化用于高增益和高输出功率,增益为25 dB,饱和输出功率为+31.5 dB,典型输出IP3为+40 dBm,由+7V电源供电,功率附加效率(PAE)为25%。HMC590适用于多芯片模块(MCM)和混合组件,HMC590LP5(E)则适用于SMT解决方案。
HMC591和HMC591LP5(E)这两款功率为2W的高动态范围GaAs PHEMT MMIC功率放大器适用于高效率和高输出IP3场合。其工作频率为6~10 GHz,提供23.5 dB增益,饱和输出功率为+34 dBm,典型输出IP3为+43 dBm,由+7V电源供电,功率附加效率(PAE)为27%。HMC591适用于多芯片模块(MCM)和混合组件,HMC591LP5(E)则适用于SMT解决方案。
HMC592是功率为1W的一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC的功率放大器,适用于高效率和高输出IP3,工作频率为10~13 GHz,增益为20dB,饱和输出功率为+30.5dBm,由+7V电源供电,功率附加效率(PAE)为23%。592适用于多芯片模块(MCM),典型输出IP3为+38 dBm。
HMC590、HMC590LP5(E)、 HMC591、HMC591LP5(E)和HMC592扩大了Hittite现有的高动态范围GaAs PHEMT MMIC功率放大器的阵容,频率覆盖范围为0.4~40GHz。这五款功率放大器有RF I/O口,隔离直流,匹配电阻为50欧姆。HMC590、HMC591和HMC592 为裸片形式,HMC590LP5(E)和HMC591LP5(E)则采用符合 RoHS规范的5 x 5 mm封装。
所用裸片和采用SMT封装的样品及评估PC板皆有现货供应,可通过该公司的电子商务网站或直接下单订货。
- 半导体所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线(03-10)
- RFMD增加GaAs技术 扩展晶圆代工服务(10-08)
- 激光在GaAs晶圆厂表现不(10-23)
- 智能型手机需求攀升 砷化镓磊芯片厂Kopin涨逾5%(09-10)
- RFMD宣布推出两款最新的射频开关RF1200和RF1450(01-26)
- Skyworks新款SKY13286-359LF射频开关具备高隔离度和低插损(02-21)