为什么单片机会用EEPROM作为data memory而不用flash

受单片机成本限制，用flash的话比如我要对某字节存储，那么就需要把整页都擦除，其他地方的数据要保留就得进行缓存，占用RAM资源较多。而用EEPROM就要方便操作，有能够节省本来就不多的单片机资源。

EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。 EPROM 的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister 组成,由于FLOTOX 的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH 是结合EPROM 和EEPROM 技术达到的,很多FLASH 使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM 一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是,FLASH 对芯片提供大块或整块的擦除,这就 降低了设计的复杂性,它可以不要 EEPROM 单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH 的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。

其实对于用户来说,EEPROM 和FLASH 的最主要的区别就是

1。EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。

2。EEPROM 一般容量都不大,如果大的话,EEPROM 相对与FLASH 就没有价格上的优势了。 市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。

3。读的速度的话,应该不是两者的差别,只是（硕士论文）EERPOM 一般用于低端产品,读的速度不需要那么快,真要做的话,其实也是可以做的和FLASH 差不多。

4。因为EEPROM 的存储单元是两个管子而FLASH 是一个(SST 的除外,类似于两管), 所以CYCLING 的话,EEPROM 比FLASH 要好一些,到1000K 次也没有问题的。

总的来说,对与用户来说,EEPROM 和FLASH 没有大的区别,只是EEPROM 是低端产品, 容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH 要好一些。 但对于EEPROM 和FLASH 的设计来说,FLASH 则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围 电路设计上来说。

Flash memory 指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM 的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品 有不同的规格), 而EEPROM 则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在 PC 机的主板上,用来保存BIOS 程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作 为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM 就显 得不合适,因为RAM 需要能够按字节改写,而Flash ROM 做不到。

ROM 和RAM 指的都是半导体存储器,ROM 是Read Only Memory 的缩写,RAM 是Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM 通常都是在掉电之后 就丢失数据,典型的RAM 就是计算机的内存。

RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM 速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU 的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM 保留数据的时间很短,速度 也比SRAM 慢,不过它还是比任何的ROM 都要快,但从价格上来说DRAM 相比SRAM 要便宜很多, 计算机内存就是DRAM 的。

DRAM 分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、 SGRAM 以及WRAM 等,这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM, 这种改进型的RAM 和SDRAM 是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据, 这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势, 事实上击败了Intel 的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高 速DDR RAM 来提高带宽,这可以大幅度提高3D 加速卡的像素渲染能力。

ROM 也有很多种,PROM 是可编程的ROM,PROM 和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是, PROM 是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能 使用了,而EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种 EEPROM 是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。举个例子,手机软件一般放在EEPROM 中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM 中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM 中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。

FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPRO