GaN给予L波段雷达更高的功率和灵活性

的性能。我们认为，SiC上GaN晶体管的优异性能使其在由性能所驱动的应用中已经成为主流。

我们破纪录的晶体管是用于L波段脉冲雷达的SiC上GaN器件大家庭中的一个相对较新的成员，并加入到射频输出峰值功率为125W，250W以及500W的产品序列中。我们的芯片采用了共晶粘结工艺，以将更多的GaN晶体管和硅基电容器芯片集成到单个封装中，其功率达到了650W。采用了金线来连接输入谐振网络、栅极、源极和漏电极；采用了"跳线"形式的导线来并行连接多个GaN器件和电容器芯片。

通过这种方法，我们已采用行业标准的陶瓷封装，在其中几乎填满了GaN晶体管芯片、众多组装元件，使其比传统LDMOS硅基器件具有更高的功率。这种类型的晶体管受益于SiC衬底较高的热导率，它在横向和纵向上能够非常有效地传递热量，最终使得器件能够耗散更多的能量。

该器件拥有19.5dB、60%的能量转化效率和非常高的击穿电压，从而使客户能在50V工作电压、负载失配条件（可能比先前硅半导体技术的条件更加极端）下仍能可靠、稳定地运行器件。

高增益的好处之一就是降低了对最后一级驱动器的要求，这就可以减少元件的数量以及降低达到理想性能所需的功率强度。

与此同时，由于晶体管的高效率，使其整体功耗得以降低，而且通过在更高电压下的偏置这一优势，它所具有的更高工作电压和更大电压驻波比（VSWR）容差还能进一步提高系统的效率。需要注意的是，当这些器件在这种条件下运行时，并不会出现明显的损坏风险，因为GaN的击穿电压可以很高。

MACOM公司采用盘式封装的射频器件解决方案，多个晶体管并联组装在一个器件模块中。