大面积单结集成型a-Si:H太阳电池的结构设计与制备分析
时间:02-13
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薄膜的光电子学性能。
3.4N层的制备
N层为a-Si:H:P,沉积的气源为SiH4、PH3、H2和He的混合气体,其中PH3用来实现材料搀杂。a-Si:H:P薄膜的结构和光电性能同基体温度、气源配比、反应压力、放电功率和气体流量等因素紧密相关。
在制备上述各层薄膜的过程中,反应压力、放电时间、气体流量和反应室温度均由计算机自动监测和控制,所需的控制参数由软件来实现。
各层薄膜制备完毕后,将组件放到机械梳刻台上械梳,刻线线宽应小于0.2mm,硅刻线应紧贴在激光刻线的近旁,两者的公差为0.2~0.7mm,刻透率应大于80%,目的是形成各单电池的非晶硅层,并使Al与TCO良好接触。
3.5蒸铝
采用真空蒸发的方法制做Al电极,在集成型a-Si:H太阳电池中,铝不但用作各子电池的负极,而且它将各单电池在结构上串联起来。除此之外,铝薄膜还可反射没有被非晶硅合金层吸收的长波限光子,增加太阳电池对光的利用率。
按上述要求设计制备出的集成型a-Si:H太阳电池组件,在美国CHRONAR公司的太阳电池测试台上测出的电池输出特性如图5所示。测试条件为:标准光强,AM1.5,100mW/cm2,25℃。从结果来看,达到了设计要求。
图5实验集成型a-Si:H太阳电池的输出特性
4结论
集成型a-Si:H太阳电池结构简单,制备工艺成本较低,容易设计成不同的形式以满足不同的用户需求。它的出现,极大的促进了整个太阳电池行业的发展。
结构设计 制备 分析 电池 太阳 结集 成型 Si:H 大面积 相关文章:
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