透析:DC-DC正激变换器次级有源箝位电路
摘要 提出一种新型DC - DC正激变换器次级有源籍位电路。它一方面将储存于变压器漏感能量无损耗地转移到负载,另一方面有效降低了次级功率二极管电压应力。本文对其一个周期内工作原理及相关理论进行分析,并给出2.8 kW DC - DC变换器实验结果及波形。
关键词 :正激变换 有源箝位 漏感
1 前言
图 1为 正 激变换器次级拓扑结构电路,VD,为整流二极管,VD:是续流二极管,L:是输出滤波电感,C:是输出滤波电容。当初级开关管开通时,VD,导通,VD:截止,初级能量向负载转移;当初级开关管关断时,VD,关断,VD:开通,滤波电感电流通过VD:续流。以上只是理想状态,若考虑功率二极管的反向恢复特性和变压器漏感,当VD,(或V D2)处于反向恢复期时,有一冲击电流流经变压器,并将能量储存于变压器漏感中,此能量将使二极管承受较大的反向电压冲击。这样一方面需选用较高耐压等级的二极管,另一方面产生的EMI也较大。此外,由于变压器存在绕线电阻,此能量会使变压器发热。如何 有 效 处理漏感能量呢? 最常用的办法是将无源RC缓冲电路与每只功率二极管并联,如图2所示,使漏感能量都消耗在缓冲器上。工作频率越高,缓冲器消耗的能量越多,因此,变换器频率和效率都不高。下面 将 介 绍一种有源箱位电路,它能将功率二极管反向电压籍位在一较低范围内,并且能量回收电路将漏感所存储的能量无损耗地转移到负图1 DC载,便于实现变换器的小型化。
图 1为 正 激变换器次级拓扑结构电路
图2 带RC缓冲电路的功率二极管
2 电路原理分析
DC 一 DC 次级有源籍位电路如图3所示,L2表示变压器次级的漏感,由VDI,VD2,VD3,VD4,C1组成全桥结构籍位电路,VD1,V D:是正激变换次级主整流二极管和续流二极管。对于这种全桥结构,加在每个主二极管上的最大反向电压就
是电容CI的电压。因此,如果能将C1电压籍在小于每个二极管的最大反向电压,二极管就可实现安全籍位了VT3,L3 ,V D5,C: 组成升一降压式的能量回收电路。下面将分5个阶段对DC -DC次级有源籍位电路一个周期内工作过程进行分析,参见图4(图中纵坐标比例不一致)。
为了 便 于 分析,作出如下假设:
(a) 输 出电 感Lf足够大,在一个开关周期内,其电流基本保持不变,因此L:和C;以及负载可看成一个电流为I。的恒流源;
(b) 变 压 器除考虑次级漏感外视为理想器件;
(c) 主 二极 管VD;和续流二极管VD:除考虑
反向恢复特性外其它均不考虑;
(d) 其 它 元件都是理想的。
(1) t。 一 t1
to时 刻 , 变换器初级开关管开通,变压器次级线圈电压U,翻转为Up,;/k,其中叽*为初级直流电压,k为变压器初次级匝比。整流二极管VD,正向偏置导通,流过玩、VD,的电流线性增长,增长率为di/dt= U sec/L 2。由于二极管的反向恢复特性,VD2 尚未关断,IVD2以相同的速率减小,但总的I0不变。
(2) t1一 t2
IL2 在 t; 时刻达到最大值IL2(max)二Io+IRR其中IRR为VD:的反向恢复电流峰值。t1时刻,VD2反向恢复期结束后关断,VD2上开始有反向电压,籍位二极管VD;导通。此时,籍位电路将加在VD:上的反向电压籍位为C1的电压,L:上多余的能量向C1转移,IL2下降,Uc,增加。t:时刻,IL2= I。 ,VD 4 关断
可以计算出这段时间转移到C;上的能量为:
(3) t2一 t3
t2时 刻 , VT3开通,而在此之前,IL3=0,因此V T3实现了零电流开通,开通损耗很小。C1上储存的能量通过负载一L3-V T3通路向负载和L3转移,IL3增加。由于I。不变,IVDI将减小。t3时刻,C,复位
(4) t3 一 t4
t3时 刻 ,变 换器初级开关管关断,同时VT 3关断,I。和IVDI线性减小,减率di/dt=U},/L29I V D 2以相同速率线性增加。储存于L3上的能量转移到C:上,IL3减小,其减小率为dIL3/dt二一Uo/L3。若忽略R3损耗,(因为在模块正常工
作时R3上消耗的功率约0.3W ),C: 与负载并联,这样L3上的能量就转移到负载上去了。
图 4 箱 位 电 路 工 作 原 理 波 形
(5) t4 一 t5
t;时 刻 ,IL2和,VDl达到负的,RR,而IVD2达到最大值,ID2(MAX)=Io+IRR,VD ,关断,籍位二极管V D3开通。此时,加在VD,上的反向电压为籍位电容C,的电压,漏感上的能量通过V D2-Cl-VD3-L:通路向C,转移,UCi增加。t5时刻,IL2 为0,这段时间转移到C,上的能量为:
t5时 刻 后 ,输出电感通过VD:续流,以维持输出电流连续。此后开始新的周期,状态同(1)。
3 、性能分析
3.1 、能量分析
由于 变 压 器的漏感与绕制工艺和磁芯材料有关,为了简化分析在这里将它看成一常量。由以上分析可知:在一个开关周期内漏感所储存的能量为
那么单位时间内漏感所储存的能量为
式 中,f为变换器的工作频率)。若采用RC
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