技术讲座：用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件（二）

功率再提高2倍。

　　图A-2：光输出功率高达170mW

　　试制品在驱动电流为1200mA时的光输出功率为170mW。将来通过改进发光层及光提取构造等，还有望将光输出功率再提高2倍。

　　此外，NICT的研究小组还试制出了元件电阻得以降低的使用β-Ga2O3基板LED芯片。芯片尺寸为300μm见方，驱动电流为200mA时工作电压仅为3.3V（图A-3）。该尺寸的横行结构市售产品在驱动电流为200mA时，工作电压高达4.7V。由于工作电压低，因此能够减少以大电流驱动时的发热量。

　　图A-3：工作电压低

　　芯片尺寸为300μm见方，驱动电流为200mA时工作电压仅为3.3V。

　　热阻降至1/10以下

　　另外，此次试制的LED芯片的热阻很低。通过将LED芯片的p层侧朝下实施封装，便可抑制热阻（图A-1）。使用AuSn作为固晶部分的接合金属，而且LED芯片尺寸为1mm见方时，据推算，活性层至接合金属的热阻合计在0.1℃/W以下，仅为同尺寸的横向结构市售产品的1/10～1/100。

　　而且试制的LED芯片的电流分布也很均匀。为了调查其电流分布情况，研究小组检测了1mm见方LED芯片内部的面内温度分布。结果显示，即使元件温度平均上升70℃，面内温度差最大也只有7℃。

　　如上所述，使用β-Ga2O3基板的LED芯片非常适合大电流用途。在将这种基板用于LED产品方面，NICT的研究小组正以2012年度内推出产品为目标，朝着实用化方向推进开发。