基于DS3501的APD偏压温度补偿电路设计

摘要：介绍了DS3501的工作原理，针对APD偏置电压需要进行精确温度补偿的耍求，设计了一种高精度、宽动态范目的APD偏压自动补偿电路。经实验测试，APD偏压相对误差小于0．25％。将该补偿电路应用于荧光法溶解氧测量系统中，显著提高了系统测量精度，测量结果相对误差小于1％。
关键词：APD；自动偏压补偿；DS3501；精度

雪崩光电二极管(APD)具有很高的灵敏度和内部增益，可大大提高探测系统的探测灵敏度和信噪比。因而在微弱光电信号测量系统中得到了广泛应用。但同时它也有一个很大的缺点，即增益随温度变化，因而应用时需做偏压温度补偿，以保证APD的增益恒定。但现有的补偿方法中。或需要微处理器进行控制，或电路设计比较复杂。由此，文中提出了一种基于DS3501的APD偏压温度补偿电路，可以自动实现APD偏压精确补偿，无需微处理器控制，简化了电路设计。

1 温度对APD增益的影响及补偿方法
SILICON-SENSOR公司AD系列APD的增益Gain由偏置电压UR与UBR的比值k决定，k越大，增益越大。但是，APD的击穿电压UBR受温度影响，温度系数为0．45 V／℃，在偏置电压UR不变的情况下，UBR随温度发生变化，导致出现波动，如图1所示。APD增益的变化将直接影响到光信号的测量，导致测量值出现较大误差。

由以上分析可知，当温度发生变化从而引起击穿电压UBR变化时，需调整偏置电压UR，使保持不变，以保证APD增益Gain恒定。假设温度时，APD击穿电压为UBRO，偏置电压为URO，可得偏压计算公式：
UR=k(UBRO+0．45(T-T0)) (1)
以此公式为基础，设计APD偏压温度补偿电路。

2 DS3501工作原理
DS3501是一款7位、非易失(NV)数字电位器，端到端电阻为10 kΩ，可通过I2C接口对其进行编程设置。内置温度传感器和对应的模／数转换器(ADC)，温度传感器带有一个36字节的NV查找表(LUT)，以存储不同温度下对应的输出阻值，每4℃的温度区间对应一个阻值，覆盖温度范围-40～+100℃。
DS3501原理框图如图2所示。芯片具有3种工作模式：Default模式，LUT模式和LUT Adder模式。Default模式最简单，抽头位置直接由控制器通过I2C总线控制；LUT模式和LUT Adder模式都是通过LUT查找表控制抽头位置，二者的区别在于：LUTAdder模式中，抽头寄存器WR中的值等于LUT查找表的输出值加上初始值寄存器IVR中的值，而LUT模式中则不加IVR中的值。以上3种模式中，系统上电时，抽头寄存器WR默认读取初始值寄存器IVR中的值作为初始值。

本设计通过配置相关寄存器使DS3501工作于LUT模式，电位器的抽头位置直接由LUT的输出控制。如图2所示，芯片以周期TFRAME查询温度传感器的输出，将ADC转化后的温度值存贮于温度寄存器(0Ch)，根据此温度确定一个地址值并存储于LUT地址寄存器LUTAR(08h)，读取LUT查找表中对应地址内的阻值并存入抽头寄存器WB(09h)，实现抽头位置的自动调整。这一特性使得仅通过此芯片就可以完成对APD的偏压温度补偿，而不用借助微处理器进行计算和控制，简化了电路设计。其中，LUT查找表中的存储的阻值由APD的性能参数及环境温度决定。同时，温度值还可通过I2C总线由主机读取。

3 偏压温度补偿电路设计
3．1 电路设计原理
偏压温度补偿电路如图3所示，将DS3501的RH、RL和RW在外部连接成分压器形式，RW端电压可方便地通过下式计算：

因此，通过改变寄存器WR中的值，就可以获得不同的偏置电压。

3．2 电路参数设计
参数设计需要满足以下两点要求：
1)为保证偏压温度补偿的精度，必须有△VEW△Vadj，即相邻两档电阻对应的VRW的变化值小于Vadj的最小变化值；
2)工业环境温度一般为-40～-+85℃，因此该电路必须能在-4O～+85℃范围内进行APD偏压温度补偿。
查APD手册得：22℃时，APD击穿电压UR=153 V，为了保证APD工作在较大的放大倍数，同时受温度影响又相对较小，取偏置电压UR=122.4 V，即k=0.8。
由(1)、(3)式得：
△VRW0．018=0．004 5△T (5)
因为DS3501每4℃温度区间对应一个阻值，因此△T=4，故Vadj=0.018。
因此需要有：
△VRW0．018 (6)
同时，在-40～+85℃范围内，由(1)、(3)式得：
1.251Vadj1．8135 (7)
电路参数设计必须满足(6)、(7)式所示条件。
取VADD=12 V，R1=100 k，R2=10 k，得△VRW=0．0079，1．000Vadj2.000，满足(6)、(7)式。根据确定的参数，由(1)、(4)式得：
WR=54．737+0．57157 (8)
由(8)式计算出不同温度下对应的WR的值，并转换成十六进制，通过I2C总线写入DS3501的查找表LUT对应地址中。芯片就可以根据温度传感器的温度控制抽头位置，进而实现偏压的控制。

4 测试结果
根据电路选取的参数，由(4)、(8)式得：
UR=114．48+0．36T (9)
根据(9)式可以计算得到某温度下偏置电压UR的理论值。
为了测试电路的补偿效果，在不同的温度下测量一组偏置电压UR，将其与理论值进行相关性分析，相关系数为0．999 67，斜率为1．002 48，标准偏羞为0．006 64，具有较好的一致性，如表1及图4所示。