“I”型三电平逆变器开关管不均压研究

plex Programmable Logic Device)将DSP发出的SPWM波按照文中提到的方法处理，即开机时，内管超前外管开通1.5μs(根据具体情况可调，一般与死区时间一致);关机时，内管滞后外管关断1.5μs。其次，在硬件上，内管并联阻容网络，选择330pF/1000V的陶瓷电容与15ohm/2W的绕线电阻。实验测试波形见图8和图9，波形显示Q1和Q2的电压基本保持一致，不存在内、外管承受电压不均的情况，逆变器工作良好。

4 结论

由测试波形可以看出，经过在发波控制上加入防止内、外管承受电压不均的逻辑时序及在硬件电路上加入防止内管先于外管关断的阻容网络后，内、外管关断的电压保持一致，最大为半边母线电压。因此，该方法是从发波控制与硬件电路上进行的优化设计，可以有效解决由于内、外管关断不一致而造成的内、外管承受电压不均的问题。该优化设计目前已成功应用到“I”型三电平逆变器的UPS及光伏逆变器产品中。

参考文献：

[1] 颜文旭，程盼飞.一种改进控制电路在IGBT串联中的应用[J].电源学报,2015,13(4): 109-113.

[2]李镇福,林维明,葛良安.一种新颖的IGBT串联电路[J].电工电能新技术,2013,32(4):55-58.

[3] 侯凯,卢文兵,姚建国.自适应IGBT串联均压电路设计[J].电力系统自动化,2012,36(8):61-65.

[4] 同向前,宁大龙,夏伟.串联IGBT的一种复合均压方法 [J].电工技术学报,2012,27(3):153-158.

[5] 汪波,胡安,唐勇IGBT电压击穿特性分析[J].电工技术学报,2011,26(8):145-150.

[6] 刘磊.IGBT串联均压技术的研究[D].南京：南京航空航天大学,2009.

[7] 熊承义，孙奉娄.IGBT串联运行时的动态均压[J].中南民族学院学报自然科学版,2009,19(3):1-4.

[8] 金其龙，孙鹞鸿，张东东.一种新电路在IGBT 串联技术中的应用[J].电力电子技术,2009, 43(5):84-86.

[9]付志红，苏向丰，周雒维.功率器件IGBT串联的移相控制技术[J].重庆大学学报,2003,26(2):113-116.

[10] Ning Dalong，Tong Xiangqian，Shen Ming，et al. The experiments of voltage balancing methods in IGBTs series connection[A].2010 Asia-Pacific Power and Energy Engineering Conference (APPEEC) [C].2010. 1-4.

[11] Carmine Abbate, Giovanni Busatto. High-Voltage High-Performance Switch Using Series-Connected IGBTs. IEEE Transactions on Power Electronics.2010, 25(9):2450-2459.

[12] Robinson, F. V.,Hamidi, V.Series connecting devices for high-voltage power conversion. UPEC 2007[J]. 42nd International, Sept. 2007:1205~1210.

[13] G. Busatto, C. Abbate, F. Iannuzzo, B. Abbate, L. Fratelli, B. Cascone and R. Manzo. High Voltage, High Performance Switch using Series Connected IGBTs [J]. IEEE PESC,2008:1606-1611.

[14] Kiyoaki Sasagawa, Yasushi Abe , Kouki matsuse. Voltage-Balancing Method for IGBTs Connected in Series [J]. IEEE Transactions on Industry Application, Vol.40，NO.4, July/August 2004:1025-1030.

[15] Palmer, P.R., Githiari, A.N. The series connection of IGBTs with active voltage sharing [J]. IEEE Transactions on Power Electronics, Volume 12 Issue 4,Jul 1997:637-644.

本文来源于中国科技核心期刊《电子产品世界》2016年第6期第59页，欢迎您写论文时引用，并注明出处。