采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器

波器。接收器VCO位于芯片中央。发射器基带滤波器位于芯片左下角，在发射器PLL环路滤波器和发射器VCO的下方。发射调制器和射频输出通道位于芯片下缘。

　　结语

支持UMTS FDD标准所规定的所有工作频段的单芯片全集成化3G UMTS/W-CDMA收发器已经推出。该集成电路采用标准化0.13微米CMOS工艺制造而成。该设计包括两个分数型频率合成器(搭载全集成化VCO、片上调谐和PLL)、零中频接收通道和直接转换型发射器通道。接收器和发射器都具备出色的性能，为创建满足UMTS最低性能规范(带容限)的平台解决方案创造了条件。该器件的工作电压为2.7-3 V，接收模式下功耗为35 mA，在发射器活动时的最大功耗为80 mA。这些结果表明了本文所述收发器的竞争优势，因为它可同时满足BiCMOS工艺产品的功耗和性能要求。该芯片采用非常袖珍的无引脚封装，面积仅为5×5毫米，高度仅为0.8毫米，完全符合ARIB WCDMA和UMTS标准。