DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关

3 实验结果与讨论
宽带单片SPST开关芯片的芯片面积为1．1 mm2。图6是两种不同通孔连接方式的芯片照片。

本电路测试采用微波在片测试，插入损耗、隔离度和开态驻波比测试结果见图7。图7(a)、(c)、(e)为双接地孔测试结果，图7(b)、(d)、(f)为单接地孔测试结果。

从图7可知，通孔电感对SPST开关的高频性能有较大的影响，尤其是插入损耗和驻波特性等指标。合理的增加通孔数量对提高电路性能有明显的作用。通常，通孔对地的寄生电感量为二十几皮亨，当两个通孔对地并联时，电感值减小近50％。

4 结语
本项目中采用专用TRL校准图形进行仪器校准，实现传输特性的相位归零，从而获得更高精度的器件模型精度。同时，分析了两种情况的通孔形式对高频微波性能的影响，实验取得满意的结果。