新型高耐压功率场效应晶体管

相同总损耗超高速IGBT的平衡点达160kHz，其中开关损耗占约75％。由于COOLMOS的总损耗降到常规MOSFET的40％～50％，对应的IGBT损耗平衡频率将由160kHz降到约40kHz，增加了MOSFET在高压中的应用。

6 结论

新型高压MOSFET的问世使长期困扰高压MOSFET的导通压降高的问题得到了解决。应用它可简化整机设计：如散热器体积可减少到常规的40％左右；驱动电路，缓冲电路亦可简化；由于它具备抗雪崩击穿能力和抗短路能力，从而简化了保护电路并使整机可靠性得以提高。